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公开(公告)号：CN115128733B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210726624.6
申请日：2022-06-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供一种双光栅结构及制作方法、光学相控阵、激光雷达，包括硅波导和氮化硅波导组成的双层波导，在所述氮化硅波导上表面制作上刻蚀光栅结构和在下表面制作下刻蚀光栅结构，所述上刻蚀光栅结构与所述下刻蚀光栅结构不同，所述上刻蚀光栅结构与所述下刻蚀光栅结构在传播方向上错开预设距离，所述上刻蚀光栅和所述下刻蚀光栅在散射光强度上匹配。通过硅波导和氮化硅波导共同制作具有单向散射能力的波导光栅，使得波导光栅阵列天线的光栅间距缩小，硅波导上方的氮化硅波导上下表面具有不对称的光栅结构，通过上下表面散射光强度的匹配，实现光栅高效的单向散射能力。
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公开(公告)号：CN115128733A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210726624.6
申请日：2022-06-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供一种双光栅结构及制作方法、光学相控阵、激光雷达，包括硅波导和氮化硅波导组成的双层波导，在所述氮化硅波导上表面制作上刻蚀光栅结构和在下表面制作下刻蚀光栅结构，所述上刻蚀光栅结构与所述下刻蚀光栅结构不同，所述上刻蚀光栅结构与所述下刻蚀光栅结构在传播方向上错开预设距离，所述上刻蚀光栅和所述下刻蚀光栅在散射光强度上匹配。通过硅波导和氮化硅波导共同制作具有单向散射能力的波导光栅，使得波导光栅阵列天线的光栅间距缩小，硅波导上方的氮化硅波导上下表面具有不对称的光栅结构，通过上下表面散射光强度的匹配，实现光栅高效的单向散射能力。
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公开(公告)号：CN109860315B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910145525.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管，包括：绝缘层；设置在绝缘层上的功能堆叠层，功能堆叠层中包括雪崩区层和Ge吸收区层，在垂直于功能堆叠层的方向上，Ge吸收区层不完全覆盖雪崩区层；设置在功能堆叠层背离绝缘层一侧的介质层；贯穿介质层的第一通孔和第二通孔；通过第一通孔与功能堆叠层接触的第一电极；通过第二通孔与功能堆叠层接触的第二电极；其中，第一电极和/或第二电极在垂直于功能堆叠层的方向上，覆盖雪崩区层且不覆盖Ge吸收区层。该雪崩光电二极管具备暗电流小和光电转换效率高的优点。
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公开(公告)号：CN115166771B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202210726619.5
申请日：2022-06-24
Applicant: 吉林大学
IPC: G01S17/894 , G01S7/481
Abstract: 本发明提供一种收发一体的光学相控阵多线激光雷达及芯片，发射模块，用于控制发射光束的转向，接收模块，用于接收来自预先指定方向的反射回波，所述发射模块的发射天线与所述接收模块的接收天线具有不同的阵元周期，当所述发射模块的发射方向与所述接收模块的接收方向重合时完成激光的发射与接收。芯片上同时集成发射和接收模块具有周期不相等的天线，即发射天线和接收天线共同组成了无光束混淆的收发一体的光学相控阵雷达芯片，收发一体的光学相控阵雷达解决了光学相控阵的光束混淆问题，理论上可以实现接近180°的无混淆扫描成像。
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公开(公告)号：CN115166771A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210726619.5
申请日：2022-06-24
Applicant: 吉林大学
IPC: G01S17/894 , G01S7/481
Abstract: 本发明提供一种收发一体的光学相控阵多线激光雷达及芯片，发射模块，用于控制发射光束的转向，接收模块，用于接收来自预先指定方向的反射回波，所述发射模块的发射天线与所述接收模块的接收天线具有不同的阵元周期，当所述发射模块的发射方向与所述接收模块的接收方向重合时完成激光的发射与接收。芯片上同时集成发射和接收模块具有周期不相等的天线，即发射天线和接收天线共同组成了无光束混淆的收发一体的光学相控阵雷达芯片，收发一体的光学相控阵雷达解决了光学相控阵的光束混淆问题，理论上可以实现接近180°的无混淆扫描成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109904274A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910145564.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种锗硅光电探测器，该锗硅光电探测器中雪崩区层的大电场由第一Si电极、第二Si电极、第一电极结构和第二电极结构之间的电压产生，而Ge吸收区层的电场则是由第Ge电极和电荷收集区之间的电压产生，这样可以使得雪崩区层是大电场且Ge吸收区是小电场，极大程度的降低了暗电流，进而提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN109860315A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910145525.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管，包括：绝缘层；设置在绝缘层上的功能堆叠层，功能堆叠层中包括雪崩区层和Ge吸收区层，在垂直于功能堆叠层的方向上，Ge吸收区层不完全覆盖雪崩区层；设置在功能堆叠层背离绝缘层一侧的介质层；贯穿介质层的第一通孔和第二通孔；通过第一通孔与功能堆叠层接触的第一电极；通过第二通孔与功能堆叠层接触的第二电极；其中，第一电极和/或第二电极在垂直于功能堆叠层的方向上，覆盖雪崩区层且不覆盖Ge吸收区层。该雪崩光电二极管具备暗电流小和光电转换效率高的优点。
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公开(公告)号：CN116338715A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211578468.X
申请日：2022-12-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明实施例中提供的一种基于时间相位的量子激光雷达，在于用CMOS工艺兼容的硅基光电子集成技术制作发射和接收芯片，芯片化的优势在于体积小、质量轻、能耗低更利用实际应用。采用集成技术制作量子激光雷达和量子保密通信系统的核心芯片，具有体积小、精度高、速度快、能耗低等优点，该芯片既可以用于量子激光雷达，也可以用于量子保密通信。
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公开(公告)号：CN115274909A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210718970.X
申请日：2022-06-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/107 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种雪崩光电探测器，包括：光混合分束器、第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器；将信号光和参考光分别通过光纤输入至光混合分束器，光混合分束器用于将信号光和参考光进行混合后再输出均带有信号光和参考光信息的第一光束和第二光束；第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器分别包括探测区和雪崩区；第一光束和第二光束通过光纤分别进入第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器的探测区后形成电子或空穴传输至雪崩区中；第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器的雪崩区为直接连接，形成电流后输出。本发明所需的本地参考光光功率得到降低，同时差频电信号功率得到大幅度提升，降低了后续放大电路的压力。
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公开(公告)号：CN115165091A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210718967.8
申请日：2022-06-23
Applicant: 吉林大学
IPC: G01J1/44
Abstract: 本发明提供一种桥式平衡光电探测器，包括：第一光分束系统、第二光分束系统、第一探测器系统和第二探测器系统；第一光分束系统用于将信号光和参考光分为第一信号光和第二信号光、第一参考光和第二参考光分别进入第二光分束系统中；第一信号光和第一参考光通过光纤进入第一探测器系统，第二信号光和第二参考光通过光纤进入第二探测器系统；第一探测器系统与第二探测器系统之间为串联连接，用于将光信号转为电信号，经第一探测器系统和第二探测器系统流出的电流输出后形成最终输出电流。本发明大幅度减小光电流中直流分量的比例，增加了交流分量的相对比重，减小系统的相对噪声。采用了集成芯片技术，使器件的均匀性得到很大改善。
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