公开(公告)号：CN107968036A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710976389.7

申请日：2017-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  陈敏璋

Inventor： 陈敏璋 ,  李伟豪 ,  施奂宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/335 ,  H01L29/10

Abstract: 在制造高电子迁移率晶体管的方法中，第一Ⅲ-V族半导体层在基板上形成。第一Ⅲ-V族半导体层经图案化以形成鳍及凹陷表面。第二Ⅲ-V族半导体层形成以覆盖鳍及凹陷表面的顶表面及全部侧表面。第二Ⅲ-V族半导体层通过等离子辅助原子层沉积形成，其中在每次形成刚沉积的单层时进行等离子处理。

公开(公告)号：CN113314458A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202011211593.8

申请日：2020-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭家邦 ,  施奂宇 ,  陈玟璇 ,  蔡政伦 ,  李亚莲 ,  翁政辉 ,  林俊杰 ,  苏鸿文 ,  刘耀闵

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本公开涉及半导体器件的扩散阻挡部及方法。一种方法包括：在导电特征之上形成绝缘层；蚀刻绝缘层以暴露导电特征的第一表面；用牺牲材料覆盖导电特征的第一表面，其中，绝缘层的侧壁不含牺牲材料；用阻挡材料覆盖绝缘层的侧壁，其中，导电特征的第一表面不含阻挡材料，其中，阻挡材料包括用过渡金属掺杂的氮化钽(TaN)；去除牺牲材料；以及用导电材料覆盖阻挡材料和导电特征的第一表面。

公开(公告)号：CN107039237A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610893221.5

申请日：2016-10-13

Applicant: 环球晶圆股份有限公司 ,  陈敏璋

Inventor： 陈敏璋 ,  庄咏荃 ,  施奂宇 ,  施英汝 ,  徐文庆

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/263

Abstract: 一种外延用基材的制造方法，包括：于一基板上设置一缓冲层，该缓冲层为使用原子层沉积工艺形成多个层叠的氮化物层所构成。该缓冲层也可由叠置的至少一第一次缓冲层与至少一第二次缓冲层所构成，其中，第一次缓冲层为使用原子层沉积工艺形成多个层叠的第一氮化物层所构成，第二次缓冲层为使用原子层沉积工艺形成多个层叠的第二氮化物层。在制作缓冲层的步骤中，于形成每一层氮化物层、第一氮化物层或第二氮化物层后，后续进行离子轰击。借此，基板及缓冲层形成外延用基材，且有效提升缓冲层的结晶程度。