公开(公告)号：CN106601665A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610754617.1

申请日：2016-08-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈昱志 ,  胡弘龙 ,  蔡嘉庆 ,  杨思宏

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/3115 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826

摘要： 本发明的实施例公开了一种其中具有掺杂金属的蚀刻停止层的半导体器件及其制造方法。该方法包括：形成具有互连结构的半导体器件，互连结构中具有介电层和导体，以及在介电层上方形成蚀刻停止层；施加光刻胶层并且图案化光刻胶层，以暴露介电层上方的蚀刻停止层的位于导体的顶面上的部分；以及利用元件掺杂蚀刻停止层的暴露部分，以形成掺杂金属的蚀刻停止层。所形成的掺杂金属的蚀刻停止层具有凹槽结构并且用作导体上方的导电衬垫。