公开(公告)号：CN1136614C

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN98117064.1

申请日：1998-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 季明华 ,  陈志民

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7883

Abstract: 一种快闪存储单元，包括形成于基底中的p井及形成于p井上方的栅极结构。栅极结构包括控制栅与浮栅，浮栅通过一层薄介电层分别与控制栅和半导体基底电隔离。n-基极邻接栅极结构的第一边缘且延伸至栅极结构下，在n-基极中且邻接于栅极结构的第一边缘形成p+结构，n+结构与栅结构的第二边缘相邻。由此结构可通过带对带隧道效应，在p+结构表面产生的热电子来执行存储单元编码的操作。擦除操作是利用F-N隧道穿透n-基极区域来执行的。

公开(公告)号：CN1110085C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN98115224.4

申请日：1998-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志民

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/115 ,  H01L27/105

Abstract: 一种具有分离栅极与源极注入的快闪存储器及其制造方法，使用相同的多晶硅层来形成浮置栅与控制栅，在浮置栅下方具有一穿隧氧化层，控制栅下方具有一栅氧化层，且穿隧氧化层厚度较栅氧化层厚度薄。由于浮置栅与控制栅是以同一多晶硅层所限定，所以使得本发明中多晶硅层所产生的间隙壁，容易控制控制栅与浮置栅间的沟隙宽度，提供一具有可靠性与可重复制造的单元阵列。

公开(公告)号：CN1096708C

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN98115225.2

申请日：1998-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志民

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8247

Abstract: 一种可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元的制造方法，包括下列步骤：提供一基底，此基底上有一元件区。形成离子注入区于元件区中，接着，形成一栅极氧化层于基底上。形成浮置栅、介电层、控制栅与氧化层于基底上。本发明包括在形成栅极氧化层之前，先于元件区中注入浓度较浓的离子，藉以使得后续生成于元件区上的栅极氧化层的厚度较厚。并且藉以在作自动对准蚀刻第一多晶硅层以形成共源极区时，作为源极区的保护层之用。