公开(公告)号：CN114695362A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110649226.4

申请日：2021-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林耕庆 ,  陆则宪 ,  张盟昇 ,  黄家恩 ,  杨荣平 ,  陈炎辉

IPC: H01L27/112

Abstract: 一种集成电路结构与集成电路只读记忆体结构的制造方法，集成电路只读记忆体结构包括第一只读记忆体晶体管与第二只读记忆体晶体管。第一只读记忆体晶体管具有第一栅极电极、第一源极与第一漏极。第二只读记忆体晶体管具有第二栅极电极、第二源极与第二漏极。漏极导线是位于第一漏极与第二漏极上，且是介于第一漏极与第二漏极之间。第一漏极、漏极导线与第二漏极是介于第一栅极电极与第二栅极电极之间。第一沟槽隔离结构用以电性隔离第一漏极与第一源极，第一源极位于第一栅极电极的下方。

公开(公告)号：CN113314528A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202011249564.0

申请日：2020-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆则宪 ,  江庭玮 ,  苏品岱 ,  陈蓉萱 ,  李慧文

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一多栅极场效应晶体管(FET)，设置在衬底上方，所述第一多栅极FET包括第一有源区；以及第二多栅极FET，设置在第一多栅极FET上方，第二多栅极FET包括第二有源区。沿着垂直于衬底的竖直方向，第一有源区和第二有源区不完全投影。本发明的实施例还提供了一种用于形成半导体器件的方法。