公开(公告)号：CN108807263B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201711350343.0

申请日：2017-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯宇伦 ,  邱意为 ,  张宏睿 ,  郭昱纬

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；以及在金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层。该方法进一步包括在ILD层上方形成沟槽蚀刻开口，在沟槽蚀刻开口上方形成覆盖层，以及在覆盖层上方形成通孔蚀刻开口。本发明实施例涉及互连结构的蚀刻轮廓控制。

公开(公告)号：CN108987232A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810551704.6

申请日：2018-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育奇 ,  林进兴 ,  张宏睿 ,  邱意为 ,  郭昱纬 ,  柯宇伦

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开一实施例提供一种蚀刻方法，包括在吸盘上安装晶圆，吸盘设置在蚀刻系统的腔室中，晶圆被聚焦环包围。当蚀刻部分晶圆时，通过将聚焦环相对于晶圆的垂直位置调整到第一期望垂直位置，以将蚀刻方向调整到第一期望蚀刻方向。当蚀刻部分晶圆时，通过将聚焦环相对于晶圆的垂直位置调整到第二期望垂直位置，以将蚀刻方向调整到第二期望蚀刻方向，第二期望垂直位置与第一期望垂直位置不同，第二期望蚀刻方向与第一期望蚀刻方向不同。

公开(公告)号：CN108807263A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201711350343.0

申请日：2017-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯宇伦 ,  邱意为 ,  张宏睿 ,  郭昱纬

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/743 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2224/05093 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/528 ,  H01L2221/101

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；以及在金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层。该方法进一步包括在ILD层上方形成沟槽蚀刻开口，在沟槽蚀刻开口上方形成覆盖层，以及在覆盖层上方形成通孔蚀刻开口。本发明实施例涉及互连结构的蚀刻轮廓控制。