公开(公告)号：CN102403312A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110274859.8

申请日：2011-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蓝丽娇 ,  陶昌雄 ,  李政宏 ,  陆崇基 ,  郑宏正 ,  文特·克玛·阿葛伟 ,  金妡锳 ,  赵炳润

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5068 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/12 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  Y02P90/265

Abstract: 本发明公开一种位于基板上的元件区域以及设计元件布局的方法，本发明所公开的电路布局，元件结构，以及各种相关技术运用虚拟元件(dummy device)使边缘结构中虚拟元件的扩散区域(diffusion region)获得延伸，并允许设计规则所禁止的虚拟元件架构。延伸扩散区域可解决或改善扩散长度(length of diffusion，LOD)及边缘效应(edge effect)所产生的问题。再者，在边缘元件旁放置一虚拟元件的栅极结构后，只需再增加一虚拟结构于该虚拟元件旁，为半导体芯片节省宝贵的使用面积。因此，利用延伸虚拟元件的扩散区域以及允许设计规则所禁止的架构不但可解决或改善扩散长度及边缘效应所产生的问题，同时更不影响布局面积及生产良率。

公开(公告)号：CN102403312B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201110274859.8

申请日：2011-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蓝丽娇 ,  陶昌雄 ,  李政宏 ,  陆崇基 ,  郑宏正 ,  文特·克玛·阿葛伟 ,  金妡锳 ,  赵炳润

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5068 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/12 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  Y02P90/265

Abstract: 本发明公开一种位于基板上的元件区域以及设计元件布局的方法，本发明所公开的电路布局，元件结构，以及各种相关技术运用虚拟元件(dummy device)使边缘结构中虚拟元件的扩散区域(diffusion region)获得延伸，并允许设计规则所禁止的虚拟元件架构。延伸扩散区域可解决或改善扩散长度(length of diffusion，LOD)及边缘效应(edge effect)所产生的问题。再者，在边缘元件旁放置一虚拟元件的栅极结构后，只需再增加一虚拟结构于该虚拟元件旁，为半导体芯片节省宝贵的使用面积。因此，利用延伸虚拟元件的扩散区域以及允许设计规则所禁止的架构不但可解决或改善扩散长度及边缘效应所产生的问题，同时更不影响布局面积及生产良率。