公开(公告)号：CN115148669A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210093008.1

申请日：2022-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢佑刚 ,  姜慧如 ,  林仲德

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 提供半导体结构。半导体结构可以包括晶体管结构，晶体管结构可以包括：栅极区域，布置在衬底的上表面上方并且基本在垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一源极/漏极区域，位于衬底的上表面上方；第二源极/漏极区域，位于衬底的上表面上方；以及沟道区域，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间在第一方向上垂直延伸，其中，沟道区域包括氧化物半导体材料。沿第一方向，栅极区域覆盖沟道区域的侧壁。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN114823677A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210237042.1

申请日：2022-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姜慧如 ,  后藤贤一 ,  凌嘉佑 ,  谢佑刚 ,  林仲德

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管、位元线、第一电容器结构及第二电容器结构。第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，包括半导体金属氧化物板位于基板上，以及一组多个电极结构位于半导体金属氧化物板上并沿着第一水平方向自一侧至另一侧含有第一源极、第一栅极、漏极、第二栅极与第二源极。位元线位于半导体金属氧化物板上并电性连接至漏极，且沿着第一水平方向横向延伸。第一电容器结构包括第一导电节点，其电性连接至第一源极。第二电容器结构包括第二导电节点，其电性连接至第二源极。

公开(公告)号：CN114725203A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210116575.4

申请日：2022-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢佑刚 ,  李泓纬 ,  马礼修

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及包括阻氢电介质阻挡件的薄膜晶体管及其形成方法。一种薄膜晶体管，包括：绝缘基体层，该绝缘基体层中包括开口；阻氢电介质阻挡层，在开口的底表面和侧壁之上并且在绝缘基体层的顶表面之上连续延伸；栅极电极，位于开口内；栅极电介质和半导体金属氧化物板的堆叠，该堆叠上覆于栅极电极以及阻氢电介质阻挡层的上覆于绝缘基体层的水平延伸部分；以及源极电极和漏极电极，与半导体金属氧化物板的顶表面的相应部分接触。

公开(公告)号：CN113540255A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110721471.1

申请日：2021-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蒋国璋 ,  孙宏彰 ,  杨子庆 ,  赖昇志 ,  江昱维 ,  谢佑刚 ,  杨丰诚

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/34

Abstract: 包括沟道层的晶体管及其制造方法，沟道层包括氧化物半导体材料。该晶体管包括沟道层，该沟道层包括具有第一氧浓度的第一氧化物半导体层、具有第二氧浓度的第二氧化物半导体层和具有第三氧浓度的第三氧化物半导体层。第二氧化物半导体层位于第一半导体氧化物层和第三氧化物半导体层之间。第二氧浓度低于第一氧浓度和第三氧浓度。本发明的实施例还涉及形成氧化物半导体晶体管的方法。

公开(公告)号：CN218004862U

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202221741425.4

申请日：2022-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢佑刚 ,  马礼修

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/11585

Abstract: 一种具有源极与漏极和有源层之间低肖特基障壁的晶体管结构，其包括栅极、有源层、将有源层与栅极分隔开的栅极介电层、源极、漏极和将源极和漏极与有源层分隔开的富含氢材料层。富含氢材料层中氢的存在可能会减少源极和有源层之间以及漏极和有源层之间的接触电阻和肖特基障壁，从而提高器件性能。所揭露的晶体管结构可以在后段工艺中形成并且可以与其他后段工艺电路构件结合。因此，所揭露的晶体管结构可以包括可以在低温加工的材料，而能避免损坏先前制造的器件。