公开(公告)号：CN107134450A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201610919986.1

申请日：2016-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭廷晃 ,  罗家彬 ,  陈维邦 ,  蒋振劼 ,  吴启明 ,  郑志成

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/088 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、p型MOS晶体管、n型MOS晶体管和固化的可流动的氧化物层。衬底包括第一区域和第二区域。p型MOS晶体管位于第一区域中。n型MOS晶体管位于第二区域中。固化的可流动的氧化物层覆盖p型MOS晶体管和n型MOS晶体管，其中施加到p型MOS晶体管的固化的可流动的氧化物层的第一应变不同于施加到n型MOS晶体管的固化的可流动的氧化物层的第二应变，并且它们之间的差异大于0.002Gpa。