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公开(公告)号：CN114765152A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210002072.4
申请日：2022-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括：接触部件，位于介电层中；钝化结构，位于介电层上方；导电部件，位于钝化结构上方；种子层，设置在导电部件和钝化结构之间；保护层，沿导电部件的侧壁设置；以及钝化层，位于导电部件和保护层上方。
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