公开(公告)号：CN107134445A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201611046804.0

申请日：2016-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴国铭 ,  林永隆 ,  王志扬 ,  陈升照 ,  周正贤

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/50 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/02 ,  H01L24/06 ,  H01L25/50 ,  H01L23/528 ,  H01L21/50 ,  H01L23/50

Abstract: 本发明实施例提供一种3DIC结构及其形成方法。所述结构包含上覆在第一衬底上的第一电介质层。第一连接垫放置在所述第一电介质层的顶部表面中且接触第一重布线。第一虚拟垫放置在所述第一电介质层的所述顶部表面中，所述第一虚拟垫接触所述第一重布线。第二电介质层上覆在第二衬底上。第二连接垫及第二虚拟垫放置在所述第二电介质层的顶部表面中，所述第二连接垫接合到所述第一连接垫，且所述第一虚拟垫以与所述第二虚拟垫偏离的方式定位，使得所述第一虚拟垫与所述第二虚拟垫彼此不接触。