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公开(公告)号:CN102800355A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201210021129.1
申请日:2012-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C7/227 , G11C11/418
Abstract: 本发明公开了SRAM定时单元装置和方法,具体公开了用于提供SRAM定时跟踪单元电路。在实施例中,该装置包括:SRAM阵列,该阵列包括成行和成列布置的静态随机存储器单元;多个字线,每个字线都沿着其中一行与存储器单元连接;时钟发生器,用于输出时钟信号;字线发生电路,用于响应于一个时钟信号在多个字线上产生脉冲,并且用于响应于一个时钟信号结束脉冲;跟踪单元,用于按照SRAM跟踪时间接收时钟信号以及向时钟发生电路输出字线脉冲结束信号;其中,跟踪单元进一步包括设置于SRAM阵列中并且串联的SRAM跟踪电路,用于提供指示SRAM跟踪时间的信号。本发明还公开了用于SRAM定时的方法。
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公开(公告)号:CN102800355B
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201210021129.1
申请日:2012-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C7/227 , G11C11/418
Abstract: 本发明公开了SRAM定时单元装置和方法,具体公开了用于提供SRAM定时跟踪单元电路。在实施例中,该装置包括:SRAM阵列,该阵列包括成行和成列布置的静态随机存储器单元;多个字线,每个字线都沿着其中一行与存储器单元连接;时钟发生器,用于输出时钟信号;字线发生电路,用于响应于一个时钟信号在多个字线上产生脉冲,并且用于响应于一个时钟信号结束脉冲;跟踪单元,用于按照SRAM跟踪时间接收时钟信号以及向时钟发生电路输出字线脉冲结束信号;其中,跟踪单元进一步包括设置于SRAM阵列中并且串联的SRAM跟踪电路,用于提供指示SRAM跟踪时间的信号。本发明还公开了用于SRAM定时的方法。
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