公开(公告)号：CN115084006A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210114059.8

申请日：2022-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦之 ,  孙立安 ,  蔡哲恩 ,  江祐鳞 ,  黄崇铨 ,  陈志壕

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种方法包括：在导电部件上方形成第一蚀刻停止层(ESL)，在第一ESL上形成第一介电层，在第一介电层上形成第二ESL，在第二ESL上形成第二介电层，在第二介电层中形成沟槽，在沟槽的底面中形成延伸穿过第二介电层的第一开口，以及在第一开口的底面中形成第二开口。第二开口延伸穿过第一介电层和第一ESL。第二开口暴露导电部件的顶面。该方法还包括加宽第一开口至第二宽度，用导电材料填充沟槽以形成导线，以及用导电材料填充第二开口和第一开口以形成导电通孔。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN222355129U

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202420305916.7

申请日：2024-02-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承轩 ,  江祐鳞 ,  张进传 ,  施应庆

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31

Abstract: 本实用新型实施例提供一种封装结构，其中封装结构包括第一重布线路结构、半导体装置、半导体电桥管芯及第一绝缘包封体。第一重布线路结构具有第一侧及与第一侧相对的第二侧。半导体装置设置在第一重布线路结构的第一侧之上。半导体电桥管芯设置在第一重布线路结构的第二侧之上并与第一重布线路结构电性连接，其中半导体电桥管芯包括半导体衬底、内连线结构、多个导电端子及有机介电层。内连线结构设置于半导体衬底上。多个导电端子设置于内连线结构上并与之电性连接。有机介电层设置于内连线结构上并侧向地覆盖多个导电端子。第一绝缘包封体封装半导体电桥管芯，其中多个导电端子与第一绝缘包封体被有机介电层隔开。