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公开(公告)号:CN115497909A
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202210047964.6
申请日:2022-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/78 , H01L23/31
Abstract: 本公开实施例是有关于一种半导体装置、半导体封装件以及其制造方法。一种半导体装置包括衬底、内连线结构以及多个导电通孔。所述衬底具有第一侧、第二侧以及连接所述第一侧和所述第二侧的侧壁,其中所述侧壁包括所述衬底的第一部分的第一平面侧壁、所述衬底的第二部分的第二平面侧壁以及所述衬底的第三部分的弯曲侧壁,其中所述第一平面侧壁通过所述弯曲侧壁连接到所述第二平面侧壁。所述内连线结构位于所述衬底的所述第一侧上,其中所述内连线结构的侧壁自所述第二平面侧壁偏移。所述多个导电通孔位于所述内连线结构上,其中所述内连线结构位于所述多个导电通孔和所述衬底之间。
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公开(公告)号:CN115565995A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202210961300.0
申请日:2022-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/8238
Abstract: 本揭露实施例提供一种包括抗机械应力凸块结构的半导体晶粒。半导体晶粒包括嵌入金属互连结构的介电材料层、连接垫和通孔结构、以及包括凸块通孔部分和接合凸块部分的凸块结构。凸块通孔部分的底表面的整体位于连接垫和通孔结构的垫部分的水平顶表面的区域内。
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公开(公告)号:CN115497837A
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202210049757.4
申请日:2022-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/498 , H01L21/683
Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。该方法包括:提供具有多个第一管芯与多个第二管芯于其中的第一封装体;进行第一切割工艺,以将所述第一封装体切割为多个第二封装体,其中所述多个第二封装体中的一者包括三个第一管芯与一个第二管芯;以及进行第二切割工艺,移除所述多个第二封装体中的所述一者中的所述第二管芯,使得经切割的第二封装体形成为大于或等于5的角的多边形结构。
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