公开(公告)号：CN102386230B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201110053261.6

申请日：2011-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈振平 ,  林惠敏 ,  黄明杰 ,  李东颖

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明是有关于一种半导体组件及形成多位鳍状场效晶体管组件的方法。所述半导体组件包括多个组件内绝缘区以及多个半导体鳍部，其中前述组件内绝缘区具有第一高度，前述组件内绝缘区是将前述半导体鳍部沿着水平方向各自分开设置。半导体鳍部的一部分是设于前述组件内绝缘区上。此半导体组件还包括第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区，且前述半导体鳍部是设于第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区之间。第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区的第二高度大于第一高度。

公开(公告)号：CN102386230A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110053261.6

申请日：2011-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈振平 ,  林惠敏 ,  黄明杰 ,  李东颖

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明是有关于一种半导体组件及形成多位鳍状场效晶体管组件的方法。所述半导体组件包括多个组件内绝缘区以及多个半导体鳍部，其中前述组件内绝缘区具有第一高度，前述组件内绝缘区是将前述半导体鳍部沿着水平方向各自分开设置。半导体鳍部的一部分是设于前述组件内绝缘区上。此半导体组件还包括第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区，且前述半导体鳍部是设于第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区之间。第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区的第二高度大于第一高度。