公开(公告)号：CN113948370A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110475823.X

申请日：2021-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗桦 ,  陈逸科 ,  刘家助 ,  林华泰

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 本公开涉及一种用于形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成具有在第一方向上延伸的第一线特征和第二线特征的图案。在衬底上沉积光致抗蚀剂层以覆盖图案之后，对光致抗蚀剂层进行图案化以形成包括第一切割特征和第二切割特征的切割图案，该第一切割特征和第二切割特征分别暴露第一线特征和第二线特征的部分。在俯视图中，第一切割特征和第二切割特征中的至少一者相对于相应第一线特征或第二线特征的中心轴被不对称地布置。执行至少一个倾斜离子注入以在垂直于第一方向的至少一个方向上扩大第一切割特征和第二切割特征。然后去除分别被第一切割特征和第二切割特征暴露的第一线特征的部分和第二线特征的部分。

公开(公告)号：CN104576534A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410010730.X

申请日：2014-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  曾文弘 ,  林宗桦 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886

Abstract: 本发明公开了制造鳍式场效应晶体管器件的方法。该方法包括在衬底上方形成芯轴部件，以及实施第一切割去除芯轴部件以形成第一间隔。该方法还包括实施第二切割去除芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔。在第一切割和第二切割之后，使用具有第一间隔和端部与端部间间隔的芯轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻衬底，以形成鳍。沉积间隔件层以完全填充在相邻鳍之间的间隔中，并覆盖与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍的侧壁。蚀刻间隔件层以在与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍上形成侧壁间隔件，以及在第一间隔和端部与端部间间隔中形成隔离沟槽。

公开(公告)号：CN104576534B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201410010730.X

申请日：2014-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  曾文弘 ,  林宗桦 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886

Abstract: 本发明公开了制造鳍式场效应晶体管器件的方法。该方法包括在衬底上方形成芯轴部件，以及实施第一切割去除芯轴部件以形成第一间隔。该方法还包括实施第二切割去除芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔。在第一切割和第二切割之后，使用具有第一间隔和端部与端部间间隔的芯轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻衬底，以形成鳍。沉积间隔件层以完全填充在相邻鳍之间的间隔中，并覆盖与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍的侧壁。蚀刻间隔件层以在与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍上形成侧壁间隔件，以及在第一间隔和端部与端部间间隔中形成隔离沟槽。