公开(公告)号：CN114823536A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210172793.X

申请日：2022-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 光心君 ,  林孟佑 ,  郑存甫 ,  吴忠纬

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置如纳米片多通道装置，半导体装置具有额外间隔层与硬掩模层。额外间隔层可提供最顶部的通道上的内侧间隔物所用的空间。硬掩模层可在金属栅极回蚀刻时作为蚀刻停止层，以改善栅极高度的控制。

公开(公告)号：CN105895502B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201510372539.4

申请日：2015-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  林时彦

Inventor： 林孟佑 ,  林时彦 ,  李嗣涔 ,  潘正圣

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明描述了一种包括二维(2D)材料的半导体器件及其制造方法。在实施例中，用于制造包括2D材料的半导体器件的方法可以包括：在衬底上外延形成第一2D材料层；以及在第一2D材料层上方形成第二2D材料层，第一2D材料层和第二2D材料层的组分不同。

公开(公告)号：CN106206680A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510245423.4

申请日：2015-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  林时彦

Inventor： 林孟佑 ,  林时彦 ,  李嗣涔

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括：衬底；第一有源区，位于衬底上方；第二有源区，位于衬底上方；石墨烯沟道，位于第一有源区和第二有源区之间；以及第一面内栅极。在一些实施例中，石墨烯沟道、第一面内栅极、第一有源区和第二有源区包括石墨烯。本发明还提供了由单个石墨烯层形成第一面内栅极、第一有源区、第二有源区和石墨烯沟道的方法。

公开(公告)号：CN117276279A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311112733.X

申请日：2023-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 尤韦翔 ,  何韦德 ,  洪昕扬 ,  林孟佑 ,  黄祥鸿 ,  郑存甫 ,  胡宽侃 ,  陈思桦 ,  吴亭昀 ,  曾威程 ,  林威呈 ,  王振印 ,  黄瑞乾 ,  廖思雅

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成第一晶体管和堆叠在第一晶体管上的第二晶体管；形成与第一晶体管和第二晶体管相邻的第一开口；在第一开口中形成栅极隔离层；在栅极隔离层上形成导电层，导电层位于第一开口中；在导电层中形成切口区域；在切口区域中的导电层上形成介电层；形成与第二晶体管和导电层接触的前侧源极/漏极接触件；以及形成与第一晶体管和导电层接触的背侧源极/漏极接触件。本发明的实施例还提供了半导体器件。

公开(公告)号：CN105895502A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510372539.4

申请日：2015-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  林时彦

Inventor： 林孟佑 ,  林时彦 ,  李嗣涔 ,  潘正圣

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/02568 ,  C01B32/186 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0242 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明描述了一种包括二维(2D)材料的半导体器件及其制造方法。在实施例中，用于制造包括2D材料的半导体器件的方法可以包括：在衬底上外延形成第一2D材料层；以及在第一2D材料层上方形成第二2D材料层，第一2D材料层和第二2D材料层的组分不同。

公开(公告)号：CN116435305A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310185373.X

申请日：2023-03-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林孟佑 ,  王薏涵 ,  郑存甫 ,  王振印 ,  廖翊博 ,  廖思雅

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种集成电路包括互补场效应晶体管(CFET)。CFET包括第一晶体管，该第一晶体管具有对应于第一晶体管的沟道区域的第一半导体纳米结构和围绕第一半导体纳米结构的第一栅极金属。CFET包括第二晶体管，该第二晶体管包括位于第一半导体纳米结构之上的第二半导体纳米结构和围绕第二半导体纳米结构的第二栅极金属。CFET包括位于第一半导体纳米结构和第二半导体纳米结构之间的隔离结构。本发明的实施例还提供了形成集成电路的方法。

公开(公告)号：CN112750778A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011001155.9

申请日：2020-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林孟佑 ,  郑存甫 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开实施例说明半导体结构的形成方法，包括形成虚置栅极结构于基板上；形成第一间隔物于虚置栅极结构的侧壁上，并形成第二间隔物于第一间隔物上；形成源极/漏极结构于基板上；移除第二间隔物；形成介电结构于源极/漏极结构上；将虚置栅极结构置换为金属栅极结构与金属栅极结构上的盖结构；以及形成开口于介电结构中。开口露出源极/漏极结构。方法亦包括形成虚置间隔物于开口的侧壁上；形成接点结构于开口中；以及移除虚置间隔物以形成气隙于接点结构与金属栅极结构之间。接点结构接触开口中的源极/漏极结构。

公开(公告)号：CN106206680B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201510245423.4

申请日：2015-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  林时彦

Inventor： 林孟佑 ,  林时彦 ,  李嗣涔

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括：衬底；第一有源区，位于衬底上方；第二有源区，位于衬底上方；石墨烯沟道，位于第一有源区和第二有源区之间；以及第一面内栅极。在一些实施例中，石墨烯沟道、第一面内栅极、第一有源区和第二有源区包括石墨烯。本发明还提供了由单个石墨烯层形成第一面内栅极、第一有源区、第二有源区和石墨烯沟道的方法。