公开(公告)号：CN110970489B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201910913267.2

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谭伟钧 ,  翁翊轩 ,  程德恩 ,  林咏惠 ,  林玮耿 ,  李威养 ,  粘志鸿

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍，在第一鳍上方并且沿着第一鳍的侧壁形成第一栅极堆叠，沿着第一栅极堆叠的侧壁形成第一间隔件，第一间隔件包括第一碳氧化硅组合物，沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件，第二间隔件包括第二碳氧化硅组合物，沿着第二间隔件的侧壁形成第三间隔件，第三间隔件包括氮化硅，以及在第一鳍中并且与第三间隔件相邻形成第一外延源极/漏极区域。

公开(公告)号：CN110970489A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910913267.2

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谭伟钧 ,  翁翊轩 ,  程德恩 ,  林咏惠 ,  林玮耿 ,  李威养 ,  粘志鸿

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍，在第一鳍上方并且沿着第一鳍的侧壁形成第一栅极堆叠，沿着第一栅极堆叠的侧壁形成第一间隔件，第一间隔件包括第一碳氧化硅组合物，沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件，第二间隔件包括第二碳氧化硅组合物，沿着第二间隔件的侧壁形成第三间隔件，第三间隔件包括氮化硅，以及在第一鳍中并且与第三间隔件相邻形成第一外延源极/漏极区域。