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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116525440A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310204304.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明的实施例提供了存储器和逻辑器件协同优化的方法和结构。本发明的实施例提供了一种器件，包括具有第一区域和第二区域的衬底。该器件可以包括设置在第一区域中的第一栅极结构和设置在第二区域中的第二栅极结构。该器件还可以包括与第一栅极结构相邻设置的第一源极/漏极部件和与第二栅极结构相邻设置的第二源极/漏极部件。第一源极/漏极部件的第一顶面和第二源极/漏极部件的第二顶面基本上是齐平的。第一源极/漏极部件的第一底面与第一顶面相距第一距离，并且第二源极/漏极部件的第二底面与第二顶面相距第二距离。在某些情况下，第二距离大于第一距离。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113990869A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110894963.0
申请日：2021-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供一种半导体装置。设置第一源极/漏极结构于基板上方。设置第二源极/漏极结构于基板上方。隔离结构设置于第一源极/漏极结构以及第二源极/漏极结构之间。第一源极/漏极结构与隔离结构的第一侧壁形成实质上线性的第一界面。第二源极/漏极结构与隔离结构的第二侧壁形成实质上线性的第二界面。第一源极/漏极接触件在多个方向围绕第一源极/漏极结构。第二源极/漏极接触件在多个方向围绕第二源极/漏极结构。隔离结构设置于第一源极/漏极接触件以及第二源极/漏极接触件之间。
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公开(公告)号：CN115274558A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210790734.9
申请日：2022-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了用于制造半导体器件的方法，包括：形成第一半导体鳍、第二半导体鳍、以及在第一和第二半导体鳍之间的混合鳍；凹进蚀刻第一半导体鳍和混合鳍，同时第二半导体鳍被第一掩模覆盖；形成连接到第一半导体鳍的第一外延源极/漏极部件，用n型掺杂剂掺杂第一外延源极/漏极部件；凹进蚀刻第二半导体鳍，其中混合鳍和第一半导体鳍被第二掩模覆盖；形成连接到第二半导体鳍的第二外延源极/漏极部件，用p型掺杂剂掺杂第二外延源极/漏极部件。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。
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公开(公告)号：CN113594160A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110733956.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L27/11
Abstract: 本公开实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括第一有源区及第二有源区，布设于基板之上。第一源极/漏极部件成长于第一有源区之上。第二源极/漏极部件成长于第二有源区之上。层间电介质(ILD)布设于第一源极/漏极部件及第二源极/漏极部件周围。隔离结构垂直延伸穿越ILD。隔离结构分离第一源极/漏极部件及第二源极/漏极部件。
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公开(公告)号：CN220569686U
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202321721086.8
申请日：2023-07-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 本新型涉及一种半导体装置。用于协同优化各种装置类型的结构包括第一装置类型、第二装置类型以及第三装置类型。第一装置类型设置在第一基板区域内且包括第一源/漏极部件。第二装置类型设置在第二基板区域内且包括第二源/漏极部件。第三装置类型设置在第三基板区域内且包括第三源/漏极部件。第一装置类型具有第一源/漏极接近度，第二装置类型具有小于第一源/漏极接近度的第二源/漏极接近度，第三装置类型具有大于第一和第二源/漏极接近度的第三源/漏极接近度。第一、第二和第三源/漏极部件具有第一、第二和第三深度，第一深度实质等于第二深度。
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