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公开(公告)号：CN110324772A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910251254.3
申请日：2019-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 微机电系统(MEMS)麦克风包括第一膜，第二膜，设置在第一膜和第二膜之间的第三膜，设置在第一膜和第三膜之间并由第一壁围绕的第一腔体，设置在第二膜和第三膜之间并被第二壁围绕的第二腔体，并且一个或多个第一支撑件设置在第一腔体中并连接第一膜和第三膜。本发明实施例涉及传感器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110872098A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910279019.7
申请日：2019-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及微机电系统装置。一种微机电系统装置包含：第一层及第二层，其包含相同材料；第三层，其放置于所述第一层与所述第二层之间；第一气隙，其分隔开所述第一层与所述第三层；第二气隙，其分隔开所述第二层与所述第三层；多个第一柱，所述多个第一柱暴露于所述第一气隙且被布置成与所述第一层及所述第三层接触；多个第二柱，所述多个第二柱暴露于所述第二气隙且被布置成与所述第二层及所述第三层接触。
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公开(公告)号：CN110015632A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811446622.1
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种传感器件包括微机电系统(MEMS)力传感器和电容式加速传感器。在制造传感器件的方法中，在第一衬底的前表面上方准备MEMS力传感器的传感器部分。传感器部分包括压阻式元件和前电极。在第一衬底的后表面上形成底部电极和第一电极。具有电极焊盘和第二电极的第二衬底附接至第一衬底的底部，从而使得底部电极连接至电极焊盘，并且第一电极面对第二电极，其中，在第一电极和第二电极之间具有间隔。本发明实施例涉及传感器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110324772B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910251254.3
申请日：2019-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 微机电系统(MEMS)麦克风包括第一膜，第二膜，设置在第一膜和第二膜之间的第三膜，设置在第一膜和第三膜之间并由第一壁围绕的第一腔体，设置在第二膜和第三膜之间并被第二壁围绕的第二腔体，并且一个或多个第一支撑件设置在第一腔体中并连接第一膜和第三膜。本发明实施例涉及传感器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106505056A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610804266.0
申请日：2016-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L21/768 , B81B7/02 , B81C1/00
CPC classification number: H01L43/12 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/07 , B81C2201/019 , H01L43/08 , H01L23/488 , B81C1/00015 , H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 半导体结构包括第一衬底、第二衬底、位于第一衬底上方并且位于第一衬底和第二衬底之间的第一感测结构、穿过第二衬底延伸的通孔以及位于第二衬底上方的第二感测结构，并且该第二感测结构包括与通孔电连接的互连结构以及至少部分地覆盖互连结构的感测材料。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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