公开(公告)号：CN107452712B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201710352118.4

申请日：2017-05-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡永智 ,  许玮哲 ,  杨欲忠 ,  亚历山大·克尔尼斯基

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体结构，其包含：衬底；栅极结构，其经安置于所述衬底上方；介电材料，其经安置于所述衬底和所述栅极结构上方；导电结构，其在所述介电材料内延伸；和空隙，其在所述介电材料内延伸且经安置于所述栅极结构上方。本发明实施例揭示的半导体结构，其性能能够得到有效的改良。

公开(公告)号：CN107452712A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710352118.4

申请日：2017-05-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡永智 ,  许玮哲 ,  杨欲忠 ,  亚历山大·克尔尼斯基

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/535

Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体结构，其包含：衬底；栅极结构，其经安置于所述衬底上方；介电材料，其经安置于所述衬底和所述栅极结构上方；导电结构，其在所述介电材料内延伸；和空隙，其在所述介电材料内延伸且经安置于所述栅极结构上方。本发明实施例揭示的半导体结构，其性能能够得到有效的改良。