公开(公告)号：CN109148582B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201710851854.4

申请日：2017-09-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李昆穆 ,  张智强 ,  杨崴翔 ,  林哲宇 ,  萧文助

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/306

摘要： 提供一种在外延的源极/漏极的成长制程中结合横向蚀刻以形成硅锗源极/漏极区的方法，举例来说，此方法可包含在基底上形成多个鳍，这些鳍中的每一个具有第一宽度，可在这些鳍上形成硅锗源极/漏极区，其中每一个硅锗源极/漏极区具有与第一宽度相同方向的第二宽度以及高度。此方法也可包含选择性地蚀刻硅锗源极/漏极区，例如经由横向蚀刻，以减少硅锗源极/漏极区的第二宽度。通过减少硅锗源极/漏极区的宽度，可以避免或将相邻的鳍之间的电性短路减至最低程度。此外，此方法可包含在硅锗源极/漏极区上方成长外延的盖层。

公开(公告)号：CN113257667A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110362556.5

申请日：2021-04-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨崴翔 ,  游明华

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及半导体器件和制造方法。本文描述了半导体器件以及形成半导体器件的方法。一种方法包括在衬底中形成第一鳍和第二鳍。低浓度源极/漏极区域被外延生长在第一鳍之上和第二鳍之上。低浓度区域的材料具有小于50％的锗体积。高浓度接触件着陆区域被形成在低浓度区域之上。高浓度接触件着陆区域的材料具有至少50％的锗体积。高浓度接触件着陆区域在低浓度源极/漏极区域的顶表面之上具有至少1nm的厚度。

公开(公告)号：CN109148582A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710851854.4

申请日：2017-09-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李昆穆 ,  张智强 ,  杨崴翔 ,  林哲宇 ,  萧文助

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/306

摘要： 提供一种在外延的源极/漏极的成长制程中结合横向蚀刻以形成硅锗源极/漏极区的方法，举例来说，此方法可包含在基底上形成多个鳍，这些鳍中的每一个具有第一宽度，可在这些鳍上形成硅锗源极/漏极区，其中每一个硅锗源极/漏极区具有与第一宽度相同方向的第二宽度以及高度。此方法也可包含选择性地蚀刻硅锗源极/漏极区，例如经由横向蚀刻，以减少硅锗源极/漏极区的第二宽度。通过减少硅锗源极/漏极区的宽度，可以避免或将相邻的鳍之间的电性短路减至最低程度。此外，此方法可包含在硅锗源极/漏极区上方成长外延的盖层。