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公开(公告)号:CN116486873A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202310055758.4
申请日:2023-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 揭示一种记忆体装置及其操作方法以及记忆体系统。在一个态样中,记忆体装置包括连接至记忆体阵列的多个记忆体单元的位元线,位元线具有第一长度。记忆体装置包括具有基于记忆体阵列的大小决定的第二长度的第一可程序位元线,及连接至位元线及第一可程序位元线的电荷共享电路。电荷共享电路用以将电荷自位元线转移至第一可程序位元线。记忆体装置包括连接至第一可程序位元线的放电电路,放电电路用以对第一可程序位元线中的储存电荷放电。
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公开(公告)号:CN222927205U
公开(公告)日:2025-05-30
申请号:CN202421917492.6
申请日:2024-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/10 , G06F30/333
Abstract: 一种输入/输出电路及记忆体电路,输入/输出电路包含旁路电路、第一锁存器、第二锁存器、第一晶体管及第二晶体管。旁路电路用以直接地接收数据信号并间接地接收写入启动信号。第一锁存器耦接于第一数据接线与第二数据接线之间。第二锁存器耦接至第一锁存器,且用以基于存在于第二数据接线上的电压准位产生数据输出信号。第一晶体管耦接至第一锁存器,且由感应启动信号门控。第二晶体管耦接至第一锁存器,且由时脉信号门控。第一晶体管及第二晶体管在输入/输出电路的多个操作模式中的每一者中交替地启动。
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