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1.

发明授权
双冠状电容器的制造方法失效

公开(公告)号：CN1110850C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN98116074.3

申请日：1998-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张格滎 , 杜友伦 , 罗吉进

IPC: H01L21/82 , H01L21/8242

Abstract: 一种形成双冠状电容器的制造方法包括：形成第一介电层；构图和蚀刻以形成接触窗开口；在第一介电层上形成第一导电层，并填入接触窗开口；在第一导电层上形成第二介电层；构图和蚀刻第二介电层和第一导电层，以在接触窗开口上形成中间结构；形成第二导电层；构图和蚀刻之，形成多个间隙壁，并移除位于第二介电层上方的至少部分第二导电层；移除第二介电层；沉积第三介电层；及在第三介电层上形成第三导电层。

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