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公开(公告)号：CN106981488B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201611263870.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括n沟道、p沟道、第一介栅极介电层、第二栅极介电层、第一金属栅电极和第二金属栅电极。n沟道和p沟道由不同的材料制成。第一栅极介电层存在于n沟道的至少相对的两侧壁上。第二栅极介电层存在于p沟道的至少相对的两侧壁上。第一金属栅电极存在于第一栅极介电层上。第二金属栅电极存在于第二栅极介电层上。第一金属栅电极和第二金属栅电极由基本相同的材料制成。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113809015B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202110644015.1
申请日：2021-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开提供了用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠。一种形成半导体结构的方法包括：分别在衬底的NMOS区域和PMOS区域中提供第一沟道层和第二沟道层；在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第一层；在第二沟道层上方而不在第一沟道层上方形成第一偶极图案；通过退火将来自第一偶极图案的第一金属驱动到第一层中；去除第一偶极图案；在第一层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第二层；在第二层和第一沟道层上方而不在第二沟道层上方形成第二偶极图案；通过退火将来自第二偶极图案的第二金属驱动到第二层中；去除第二偶极图案；以及在第二层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包含氧化铪的第三层。
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公开(公告)号：CN113809015A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110644015.1
申请日：2021-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开提供了用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠。一种形成半导体结构的方法包括：分别在衬底的NMOS区域和PMOS区域中提供第一沟道层和第二沟道层；在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第一层；在第二沟道层上方而不在第一沟道层上方形成第一偶极图案；通过退火将来自第一偶极图案的第一金属驱动到第一层中；去除第一偶极图案；在第一层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第二层；在第二层和第一沟道层上方而不在第二沟道层上方形成第二偶极图案；通过退火将来自第二偶极图案的第二金属驱动到第二层中；去除第二偶极图案；以及在第二层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包含氧化铪的第三层。
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公开(公告)号：CN112750780A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011182854.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供半导体装置与其形成方法。方法包括形成鳍状物，且鳍状物自基板延伸；以及沿着鳍状物的上表面与侧壁形成栅极介电层。沿着鳍状物的上表面的栅极介电层的第一厚度，大于沿着鳍状物的侧壁的栅极介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN106981488A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201611263870.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括n沟道、p沟道、第一介栅极介电层、第二栅极介电层、第一金属栅电极和第二金属栅电极。n沟道和p沟道由不同的材料制成。第一栅极介电层存在于n沟道的至少相对的两侧壁上。第二栅极介电层存在于p沟道的至少相对的两侧壁上。第一金属栅电极存在于第一栅极介电层上。第二金属栅电极存在于第二栅极介电层上。第一金属栅电极和第二金属栅电极由基本相同的材料制成。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
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