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公开(公告)号：CN106156381A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510154658.2
申请日：2015-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件阵列的参数确定方法和装置，其中，该方法包括：获取对多个规模的阵列的物理参数进行采样后得到的采样结果；对于每个规模的阵列，根据该阵列的采样结果和该阵列的规模确定用于表示该阵列的采样结果与规模之间关系的关系参数；对多个规模的阵列的关系参数进行调整，得到适应多个规模的阵列关系参数作为全局关系参数。本发明通过确定电路布局中器件参数随着单元阵列的规模而变化的关系，能够在不对电路布局进行复杂的分析和提取的情况下，客观地确定电路布局的参数，有效减少了工作量，提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN114255793A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011311981.3
申请日：2020-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储器器件的写入电路。一种器件包括存储器库、第一对写入数据布线、第二对写入数据布线和全局写入电路。第一对写入数据布线连接到存储器库中的第一组。第二对写入数据布线连接到存储器库中的第二组。响应于第一时钟信号，全局写入电路生成第一全局写入信号和第一补码全局写入信号，该第一全局写入信号和第一补码全局写入信号通过第一对写入数据布线发送到存储器库中的第一组。响应于第二时钟信号，全局写入电路生成第二全局写入信号和第二补码全局写入信号，该第二全局写入信号和第二补码全局写入信号通过第二对写入数据布线发送到存储器库中的第二组。
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公开(公告)号：CN102214485A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010140005.6
申请日：2010-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种只读存储器及其操作方法。所述只读存储单元包括主控制电路、电压移位器、字线驱动器、只读存储单元阵列以及输入输出电路，由两个电平的电源供电。电位较低的第一电源供电给主控制电路、甚至只读存储单元阵列漏极端以及输入输出电路。电位较高的第二电位供电给字线驱动器驱动该只读存储单元阵列栅极端。电压移位器则耦接于主控制电路与字线驱动器之间，作电压移位使用。本发明的只读存储器可避免传统低操作电压所产生的判读错误问题，并可享有低耗电的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114171083A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202011208387.1
申请日：2020-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C11/419
Abstract: 本公开涉及存储器器件。公开了一种器件。该器件包括第一跟踪控制线、第一跟踪电路、第一感测电路和预充电电路。第一跟踪控制线被配置为传送第一跟踪控制信号。第一跟踪电路被配置为响应于第一跟踪控制信号而生成与存储器阵列中的第一跟踪单元相关联的第一跟踪信号。第一感测电路被配置为接收第一跟踪信号，并且被配置为响应于第一跟踪信号而生成第一感测跟踪信号。预充电电路被配置为响应于第一感测跟踪信号的上升沿以及读取使能延迟信号的下降沿，而生成用于对与存储器阵列中的存储器单元相关联的数据线进行预充电的预充电信号。本文还公开了一种方法。
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公开(公告)号：CN107437428A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710387166.7
申请日：2017-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C8/08
CPC classification number: G11C8/08
Abstract: 本揭露涉及具有升压电压产生器的字线驱动单元及包含所述字线驱动单元的存储器装置。一种方法包含：将输入电压信号延迟以产生输出电压；启用电容器单元以跨越字线驱动器施加比所述输出电压大的经升压电压；及启用所述字线驱动器以提供对应于所述经升压电压的驱动电压。还揭露一种执行所述方法的字线驱动单元及一种包含所述字线驱动单元的存储器装置。
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公开(公告)号：CN114171083B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202011208387.1
申请日：2020-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C11/419
Abstract: 本公开涉及存储器器件。公开了一种器件。该器件包括第一跟踪控制线、第一跟踪电路、第一感测电路和预充电电路。第一跟踪控制线被配置为传送第一跟踪控制信号。第一跟踪电路被配置为响应于第一跟踪控制信号而生成与存储器阵列中的第一跟踪单元相关联的第一跟踪信号。第一感测电路被配置为接收第一跟踪信号，并且被配置为响应于第一跟踪信号而生成第一感测跟踪信号。预充电电路被配置为响应于第一感测跟踪信号的上升沿以及读取使能延迟信号的下降沿，而生成用于对与存储器阵列中的存储器单元相关联的数据线进行预充电的预充电信号。本文还公开了一种方法。
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公开(公告)号：CN106156381B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510154658.2
申请日：2015-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件阵列的参数确定方法和装置，其中，该方法包括：获取对多个规模的阵列的物理参数进行采样后得到的采样结果；对于每个规模的阵列，根据该阵列的采样结果和该阵列的规模确定用于表示该阵列的采样结果与规模之间关系的关系参数；对多个规模的阵列的关系参数进行调整，得到适应多个规模的阵列关系参数作为全局关系参数。本发明通过确定电路布局中器件参数随着单元阵列的规模而变化的关系，能够在不对电路布局进行复杂的分析和提取的情况下，客观地确定电路布局的参数，有效减少了工作量，提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN102214485B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201010140005.6
申请日：2010-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种只读存储器及其操作方法。所述只读存储单元包括主控制电路、电压移位器、字线驱动器、只读存储单元阵列以及输入输出电路，由两个电平的电源供电。电位较低的第一电源供电给主控制电路、甚至只读存储单元阵列漏极端以及输入输出电路。电位较高的第二电位供电给字线驱动器驱动该只读存储单元阵列栅极端。电压移位器则耦接于主控制电路与字线驱动器之间，作电压移位使用。本发明的只读存储器可避免传统低操作电压所产生的判读错误问题，并可享有低耗电的优点。
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