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公开(公告)号：CN112447218B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN201910808044.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司 , 台积电(南京)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储器电路和方法。一种电路，包括：选择电路，其被配置为在第一输入处接收第一地址并在第二输入处接收第二地址，当选择信号具有第一逻辑状态时将第一地址传递到输出，并且当选择信号具有与第一逻辑状态不同的第二逻辑状态时，将第二地址传递到输出。该电路还包括解码器，其被配置为对所传递的第一地址或第二地址进行解码。
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公开(公告)号：CN112447218A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910808044.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司 , 台积电(南京)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储器电路和方法。一种电路，包括：选择电路，其被配置为在第一输入处接收第一地址并在第二输入处接收第二地址，当选择信号具有第一逻辑状态时将第一地址传递到输出，并且当选择信号具有与第一逻辑状态不同的第二逻辑状态时，将第二地址传递到输出。该电路还包括解码器，其被配置为对所传递的第一地址或第二地址进行解码。
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公开(公告)号：CN113129944B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN201911411056.5
申请日：2019-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路及其方法。一种集成电路包括第一存储器单元阵列、第二存储器单元阵列、第一互补数据线对、第二互补数据线对和第三互补数据线对。第一互补数据线对沿着第一存储器单元阵列延伸，并且耦合到第一存储器单元阵列。第二互补数据线对沿着第二存储器单元阵列延伸，并且耦合到第一互补数据线对。第三互补数据线对沿着第二存储器单元阵列延伸，并且耦合到第二存储器单元阵列。第一存储器单元阵列中的存储器单元的行数不同于第二存储器单元阵列中的存储器单元的行数。
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公开(公告)号：CN114708896A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110218704.6
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储器电路及其操作方法。一种存储器电路，包括：NAND逻辑门、第一N型晶体管、第二N型晶体管、第一反相器和第一锁存器。NAND逻辑门被配置为接收第一位线信号和第二位线信号，并且生成第一信号。第一N型晶体管耦合至NAND逻辑门，并且被配置为接收第一预充电信号。第二N型晶体管耦合至第一N型晶体管和参考电压源，并且被配置为接收第一时钟信号。第一反相器耦合至NAND逻辑门，并且被配置为输出从第一信号反相的数据信号。第一锁存器耦合至NAND逻辑门，并且被配置为响应于至少第一时钟信号或第一预充电信号而锁存第一信号。
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公开(公告)号：CN114627909A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110163497.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C5/14
Abstract: 本公开涉及存储器设计中的电源管理的系统和方法。一种器件包括第一虚拟电源线、第二虚拟电源线、第一延迟电路和第一唤醒检测器。第一虚拟电源线和第二虚拟电源线通过第一组晶体管开关和第二组晶体管开关耦合至电源。第一延迟电路耦合在第一组晶体管开关的栅极端子和第二组晶体管开关的栅极端子之间。第一唤醒检测器被配置为在从第一延迟电路接收到信号之后生成第一触发信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114388028A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011476130.4
申请日：2020-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C11/413 , G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22
Abstract: 本公开涉及存储器器件的控制电路。一种电路包括跟踪字线、电源开关、跟踪位线、感测电路。电源开关耦合在跟踪字线和第一节点之间。电源开关被配置为响应于通过跟踪字线发送到电源开关的时钟脉冲信号而使第一节点上的电压电平放电。跟踪位线耦合在第一节点和存储器阵列中的多个跟踪单元之间。感测电路耦合在第一节点和第二节点之间。感测电路被配置为响应于第一节点上的电压电平低于感测电路的阈值电压值而生成负位线使能信号。
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公开(公告)号：CN114255795A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011311624.7
申请日：2020-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储器器件的控制电路。一种器件包括存储器阵列、位线对、字线、调制电路和控制信号发生器。存储器阵列具有布置在行和列中的多个位单元。每个位线对连接到相应列的位单元。每个字线连接到相应行的位单元。调制电路与至少一个位线对耦合。控制信号发生器与调制电路耦合。控制信号发生器包括跟踪布线，跟踪布线的跟踪长度与字线的深度距离正相关。控制信号发生器被配置为产生控制信号，控制信号参考跟踪长度在第一持续时间内切换到第一电压电平，以用于控制调制电路。还公开了控制上述器件的方法。
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公开(公告)号：CN114171083A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202011208387.1
申请日：2020-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C11/419
Abstract: 本公开涉及存储器器件。公开了一种器件。该器件包括第一跟踪控制线、第一跟踪电路、第一感测电路和预充电电路。第一跟踪控制线被配置为传送第一跟踪控制信号。第一跟踪电路被配置为响应于第一跟踪控制信号而生成与存储器阵列中的第一跟踪单元相关联的第一跟踪信号。第一感测电路被配置为接收第一跟踪信号，并且被配置为响应于第一跟踪信号而生成第一感测跟踪信号。预充电电路被配置为响应于第一感测跟踪信号的上升沿以及读取使能延迟信号的下降沿，而生成用于对与存储器阵列中的存储器单元相关联的数据线进行预充电的预充电信号。本文还公开了一种方法。
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公开(公告)号：CN113129944A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911411056.5
申请日：2019-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路及其方法。一种集成电路包括第一存储器单元阵列、第二存储器单元阵列、第一互补数据线对、第二互补数据线对和第三互补数据线对。第一互补数据线对沿着第一存储器单元阵列延伸，并且耦合到第一存储器单元阵列。第二互补数据线对沿着第二存储器单元阵列延伸，并且耦合到第一互补数据线对。第三互补数据线对沿着第二存储器单元阵列延伸，并且耦合到第二存储器单元阵列。第一存储器单元阵列中的存储器单元的行数不同于第二存储器单元阵列中的存储器单元的行数。
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公开(公告)号：CN113742795B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010459779.9
申请日：2020-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及对集成电路中的半导体存储器的安全级别进行认证的方法。一种方法包括：用一个或多个参数指定目标存储器宏；查找所述目标存储器宏中的功能块；以及基于基本单元的集合中的晶体管数量和面积分布来确定所述功能块的故障率。该方法包括：基于所述功能块的故障率，从存储器编译器生成针对所述目标存储器宏的故障模式分析。该方法包括：基于所述目标存储器宏的所述故障模式分析，确定所述目标存储器宏的安全级别。
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