公开(公告)号：CN108807152A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710884386.0

申请日：2017-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭泰彦 ,  叶朝贵 ,  吴英豪 ,  陈志壕

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

Abstract: 一种半导体装置的形成方法包括：定义第一芯与第二芯于硬掩模层上。方法亦包括沿着第一芯与第二芯的侧壁及上方沉积间隔物层，并形成牺牲材料于第一芯与第二芯之间的间隔物层上。牺牲材料包括无机氧化物。移除间隔物层的第一水平部份，以露出第一芯与第二芯。间隔物层的保留部份提供多个间隔物于第一芯与第二芯的侧壁上。方法亦包括移除第一芯与第二芯，并采用间隔物与牺牲材料作为蚀刻掩模，以图案化硬掩模层。

公开(公告)号：CN109817527B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201811367420.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建宏 ,  叶朝贵 ,  吴英豪 ,  彭泰彦 ,  陈志壕 ,  田志盛

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明实施例涉及制造半导体装置的方法及其结构。本发明实施例涉及一种制造半导体装置的方法，其包含：在掩模层之上形成第一心轴及第二心轴；在所述第一心轴与第二心轴之上沉积间隔件层；在所述第一心轴与所述第二心轴之间的所述间隔件层之上形成线端切割图案；在所述线端切割图案之上沉积保护层；蚀刻所述线端切割图案上的所述保护层；减小所述线端切割图案的宽度；通过所述减小的线端切割图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述间隔件层的第一水平部分；移除所述第一心轴及所述第二心轴；及使用所述经蚀刻间隔件层及所述经蚀刻线端切割图案作为蚀刻掩模，图案化所述掩模层。

公开(公告)号：CN109817527A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811367420.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建宏 ,  叶朝贵 ,  吴英豪 ,  彭泰彦 ,  陈志壕 ,  田志盛

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明实施例涉及制造半导体装置的方法及其结构。本发明实施例涉及一种制造半导体装置的方法，其包含：在掩模层之上形成第一心轴及第二心轴；在所述第一心轴与第二心轴之上沉积间隔件层；在所述第一心轴与所述第二心轴之间的所述间隔件层之上形成线端切割图案；在所述线端切割图案之上沉积保护层；蚀刻所述线端切割图案上的所述保护层；减小所述线端切割图案的宽度；通过所述减小的线端切割图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述间隔件层的第一水平部分；移除所述第一心轴及所述第二心轴；及使用所述经蚀刻间隔件层及所述经蚀刻线端切割图案作为蚀刻掩模，图案化所述掩模层。