公开(公告)号：CN115763520A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211033884.1

申请日：2022-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄玉莲 ,  刘皓恒 ,  张博钦 ,  陈颐珊 ,  蔡明桓

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 方法包括形成从衬底突出的第一鳍和第二鳍；形成围绕第一鳍和第二鳍的隔离层；在第一鳍上外延生长第一外延区域并且在第二鳍上外延生长第二外延区域，其中，第一外延区域和第二外延区域合并在一起；对第一外延区域和第二外延区域执行蚀刻工艺，其中，蚀刻工艺将第一外延区域与第二外延区域分隔开；在第一外延区域与第二外延区域之间沉积介电材料；以及形成在第一鳍上方延伸的第一栅极堆叠件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN111261510A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911212801.3

申请日：2019-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈颐珊 ,  刘皓恒

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027

Abstract: 一种半导体装置制造方法。此方法包括形成第一介电层和在第一介电层上方形成第一半导体层。图案化第一半导体层以形成图案化的第一半导体层。使用图案化的第一半导体层来图案化第一介电层，以形成图案化的第一介电层。在图案化的第一介电层和图案化的第一半导体层上方形成第二半导体层。

公开(公告)号：CN115565942A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211006948.9

申请日：2022-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄冠达 ,  刘皓恒 ,  林立德

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/48 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种制造集成芯片的方法。方法包括：在基板上方形成晶体管结构。晶体管结构包括一对源极/漏极区以及栅极电极，栅极电极在一对源极/漏极区之间。在一对源极/漏极区上方以及在栅极电极周围形成下层间介电(ILD)层。在栅极电极上方形成栅极盖层。执行选择性蚀刻以及沉积制程，以在栅极盖层上形成介电保护层，同时在下层间介电层之中形成接触开口。在接触开口之中形成下源极/漏极接触件。

公开(公告)号：CN220510042U

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202321424060.7

申请日：2023-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林侃儒 ,  刘皓恒 ,  张阡 ,  黄鸿仪 ,  简瑞宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体结构，包括一个或多个栅极结构位于介电层中以及于源极/漏极结构附近；间隙物包围栅极结构，由一层或多层材料组成；蚀刻停止层以及介电层于栅极结构上方，其位于栅极结构正上方的部分被去除以形成籽晶层以及栅极导孔；籽晶层位于栅极结构上方且毗邻于蚀刻停止层；栅极导孔于籽晶层上方且通过籽晶层与栅极结构电性连接。