公开(公告)号：CN107452602B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201710398746.6

申请日：2017-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余家豪 ,  吕启纶 ,  石志聪 ,  沈经纬 ,  陈政宏

IPC: H01L21/033

Abstract: 本发明实施例提供了一种反射掩模的实施例，该反射掩模包括衬底；设置在衬底上的反射多层；设置在反射多层上的抗氧化阻挡层并且抗氧化阻挡层是具有小于氧直径的平均原子间距离的非晶结构；和设置在抗氧化阻挡层上并根据集成电路布局图案化的吸收层。本发明实施例涉及高耐久性极紫外光掩模。

公开(公告)号：CN107452602A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710398746.6

申请日：2017-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余家豪 ,  吕启纶 ,  石志聪 ,  沈经纬 ,  陈政宏

IPC: H01L21/033

Abstract: 本发明实施例提供了一种反射掩模的实施例，该反射掩模包括衬底；设置在衬底上的反射多层；设置在反射多层上的抗氧化阻挡层并且抗氧化阻挡层是具有小于氧直径的平均原子间距离的非晶结构；和设置在抗氧化阻挡层上并根据集成电路布局图案化的吸收层。本发明实施例涉及高耐久性极紫外光掩模。

公开(公告)号：CN109375471A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811222288.1

申请日：2014-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简上杰 ,  陈政宏 ,  吴瑞庆 ,  陈家桢 ,  谢弘璋 ,  吕启纶 ,  余家豪 ,  张世明 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供了一种光刻系统。该光刻系统包括配置为使用固定在掩模台上的掩模实施光刻曝光工艺的曝光模块；以及集成在曝光模块中并且设计为使用吸附机构清洗掩模和掩模台中的至少一个的清洗模块。本发明还提供了具有嵌入式清洗模块的光刻系统。

公开(公告)号：CN104049469A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410084248.0

申请日：2014-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简上杰 ,  陈政宏 ,  吴瑞庆 ,  陈家桢 ,  谢弘璋 ,  吕启纶 ,  余家豪 ,  张世明 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70925

Abstract: 本发明提供了一种光刻系统。该光刻系统包括配置为使用固定在掩模台上的掩模实施光刻曝光工艺的曝光模块；以及集成在曝光模块中并且设计为使用吸附机构清洗掩模和掩模台中的至少一个的清洗模块。本发明还提供了具有嵌入式清洗模块的光刻系统。