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实用新型
半导体装置有权

公开(公告)号：CN218939687U

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202221734148.4

申请日：2022-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王唯诚 , 丘诗航 , 刘冠廷 , 洪正隆 , 徐志安

IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括有源区。设置于有源区上方的金属栅极电极。设置于金属栅极电极上方的导电层。设置于导电层的第一部分上方的含硅层。设置于导电层的第二部分上方的介电层。垂直地延伸穿过含硅层的栅极通孔。栅极通孔设置于金属栅极电极上方，并且电性耦接至金属栅极电极。

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