公开(公告)号：CN110192338A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201880007673.6

申请日：2018-01-26

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  古河AS株式会社

Inventor： 奥寺晓大 ,  杉村竹三 ,  田村亮祐

IPC: H02M7/48 ,  H02M3/28

Abstract: 提供逆变器的控制方法和控制装置，该逆变器能够进行不产生电压浪涌或电流浪涌的、使用了软开关的软启动。一种用于逆变器(2)的使用软开关进行的软启动的控制方法，其解决方式是：所述逆变器(2)为具有至少2个上下臂的桥接电路，该控制方法的特征在于，通过使针对被成对地进行电流通电的上臂的开关元件(Q1)和下臂的开关元件(Q4)施加的、栅极脉冲(G1、G4)的相位相互地错位而形成两个栅极脉冲的重叠期间，通过使所述错位的大小发生变化并逐渐地扩大确定通电期间的所述重叠期间，而实现使用软开关的软启动。

公开(公告)号：CN107408884A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680013541.5

申请日：2016-03-30

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  古河AS株式会社

Inventor： 杉本薰 ,  田村亮祐 ,  贺屋秀介 ,  杉村竹三

IPC: H02M3/155

Abstract: 一种电力转换装置，其对所输入的电力进行特性转换后输出，且具有：电力转换部，其具有由氮化物系半导体材料构成的常开型的第1开关元件，并通过所述第1开关元件的开关动作来进行所述电力的特性转换；动作控制部，其控制所述第1开关元件的开关动作；以及智能电源开关，其具有：第2开关元件，其设置于所述电力转换部的电力输入侧，进行对所述电力转换部的电力输入的导通/截止；和保护控制部，其具有对流过所述第2开关元件的电流进行检测的电流检测部，控制所述第2开关元件的导通/截止，并且，在所述电流检测部检测出的电流超过阈值的情况下使该第2开关元件截止。

公开(公告)号：CN107408884B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201680013541.5

申请日：2016-03-30

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  古河AS株式会社

Inventor： 杉本薰 ,  田村亮祐 ,  贺屋秀介 ,  杉村竹三

IPC: H02M3/155

Abstract: 一种电力转换装置，其对所输入的电力进行特性转换后输出，且具有：电力转换部，其具有由氮化物系半导体材料构成的常开型的第1开关元件，并通过所述第1开关元件的开关动作来进行所述电力的特性转换；动作控制部，其控制所述第1开关元件的开关动作；以及智能电源开关，其具有：第2开关元件，其设置于所述电力转换部的电力输入侧，进行对所述电力转换部的电力输入的导通/截止；和保护控制部，其具有对流过所述第2开关元件的电流进行检测的电流检测部，控制所述第2开关元件的导通/截止，并且，在所述电流检测部检测出的电流超过阈值的情况下使该第2开关元件截止。

公开(公告)号：CN103794641A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310288660.X

申请日：2013-07-10

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 李江 ,  高木启史 ,  田村亮祐 ,  伊仓巧裕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种实现通态电阻的降低或电流崩塌的抑制并且防止了耐压降低的半导体装置。该半导体装置具备：形成于基板上的由氮化物系半导体构成的第1半导体层，形成于所述第1半导体层的表面的、由带隙比所述第1半导体层宽的氮化物系半导体构成的第2半导体层，形成于所述第2半导体层的表面上的第1电极，形成于所述第2半导体层的表面上的第2电极，形成于所述第2半导体层的表面的所述第1电极和所述第2电极之间的电极间绝缘膜，以及形成于所述电极间绝缘膜上的由绝缘体构成的介电常数调节层，其中，所述第1电极具有以上载至所述电极间绝缘膜的方式形成的场板部，所述介电常数调节层具有与所述场板部的侧端部接触的第1介电常数调节层和形成于所述第1介电常数调节层上的第2介电常数调节层。

公开(公告)号：CN116323073A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180063911.7

申请日：2021-09-24

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 荻野笃 ,  田村亮祐 ,  柏木孝介 ,  吉原正和 ,  富永敬介 ,  茅原崇 ,  松永启伍

IPC: B23K26/0622

Abstract: 一种对由至少一张金属箔构成的加工对象进行激光加工的方法，包括向激光媒介供给脉冲状的激发能量并产生激光的步骤以及向所述加工对象的表面照射所述激光的步骤，所述激光包括脉冲光成分以及在时间上比所述脉冲光成分靠后接续的连续光成分，该方法还包括以使所述连续光成分的能量相对于所述脉冲光成分的能量之比成为规定值以下的方式限制所述连续光成分的持续时间的步骤。