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公开(公告)号：CN1561567A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN02819066.1
申请日：2002-09-25
Applicant: 三井化学株式会社 , 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02208 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/0652 , H01S5/0656 , H01S5/146 , H01S5/34
Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry－Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为Γ、1层阱层的厚度为d(nm)时，则Γ与d之间满足下式：Γ/d≤1.3×10－3nm－1的关系。
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公开(公告)号：CN1278464C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN02819066.1
申请日：2002-09-25
Applicant: 三井化学株式会社 , 古河电气工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02208 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/0652 , H01S5/0656 , H01S5/146 , H01S5/34
Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为г、1层阱层的厚度为d(nm)时，则г与d之间满足下式：г/d≤1.3×10-3nm-1的关系。
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公开(公告)号：CN1663087A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03815009.3
申请日：2003-06-27
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 三井化学株式会社
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/20 , H01S5/2004
Abstract: 在n型衬底(1)上，依次层叠了n型包层(2)、n型波导层(3)、n型载流子阻挡层(4)、激活层(5)、p型载流子阻挡层(6)、p型波导层(7)。在p型波导层(7)内部，在除去了长度方向与光出射方向平行的带状的一部分区域以外的部分上，配置了n型阻流层(8)。在p型波导层(7)上，依次层叠了p型包层(9)、p型接触层(10)、p侧电极(11)。在n型衬底(1)的底面上，配置了n侧电极(12)。此外，对从外部入射的光的波长，n型包层(2)的折射率具有与有效折射率相等的值；而对出射波长的光，n型包层(2)及p型包层(9)具有比有效折射率低的折射率。
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公开(公告)号：CN107135650A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201680005996.2
申请日：2016-01-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: B29C45/14 , B23K26/352 , H01L21/56 , H01L23/28 , H01L23/50
CPC classification number: B29C45/14 , B23K26/352 , B29C45/14311 , B29K2705/00 , B29K2995/0072 , H01L21/4828 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/495 , H01L23/49548 , H01L23/50 , H01L23/562
Abstract: 本发明提供在高温使用环境下也能够实现金属与树脂之间的优异密合性且可发挥高气密性的、金属构件与树脂模制件的复合体以及适于形成该复合体的金属构件。本发明的复合体(1)，其特征在于，包含金属构件(20)和在金属构件(20)的表面以接合状态形成的树脂模制件(30)，金属构件(20)在该表面的与树脂模制件(30)的接合部(40)具有粗化部分(21)，在包含粗化部分(21)与树脂模制件(30)的接合界面(41)的特定界面区域(43)中，粗化部分(21)与树脂模制件(30)之间的空隙的平均体积比例为，在每1μm2与接合界面(41)大致平行的平面中占0.05μm3，并且上述空隙的最大尺寸为1000μm以下。
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公开(公告)号：CN104471398B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380037337.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G01N33/543 , G01N21/59 , G01N21/64 , G01N21/78
CPC classification number: G01N33/56983 , B82Y30/00 , G01N21/59 , G01N21/6428 , G01N21/6489 , G01N21/8483 , G01N33/558 , G01N33/582 , G01N2021/6439 , G01N2021/8488 , G01N2333/08 , G01N2333/11 , G01N2469/10
Abstract: 本发明提供一种免疫层析法，其是利用检测装置一并对荧光和吸光分别进行检验测定的多项目检测用免疫层析法，其中，对于荧光颗粒和吸光颗粒，将荧光颗粒的荧光的激发波长与吸光颗粒的吸收波长设为相同的波长区域，对测试区域的反射光强度、测试区域的反射光强度、以及测试区域和测试区域以外的非测试区域的反射光强度一并进行检验测定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105556310A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480050936.3
申请日：2014-10-01
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G01N33/543 , G01N21/64 , G01N33/553
CPC classification number: G01N33/582 , B03C1/00 , B03C1/01 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , G01N21/6428 , G01N33/54326 , G01N33/54333 , G01N33/5434 , G01N33/552 , H01F1/0054
Abstract: 一种荧光标记颗粒，其为检测靶标物质的标记颗粒，其在包含具有磁性材料的相和具有荧光材料的相的复合颗粒的表面具有热响应性聚合物。
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公开(公告)号：CN105358981A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480038523.3
申请日：2014-07-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G01N33/543 , G01N33/552
CPC classification number: G01N33/54386 , G01N33/54393
Abstract: 一种免疫层析用试验片，其为具备凝集抑制垫、结合垫以及膜的免疫层析用试验片，所述膜具有捕捉目标物质的试验区域，所述凝集抑制垫包含脱盐剂，所述结合垫包含标记剂。
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公开(公告)号：CN105324668A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035285.0
申请日：2014-08-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G01N33/552 , C09K11/06 , G01N33/543
CPC classification number: G01N33/552 , G01N33/54353 , G01N33/582
Abstract: 一种二氧化硅颗粒，其在表面具有硫醇基，是含有荧光性或吸光性的色素的二氧化硅颗粒，其中，该二氧化硅颗粒满足下述(a)和(b)：(a)粒径为20nm～1000nm；(b)二氧化硅颗粒表面的上述硫醇基的密度为0.002个/nm2～0.2个/nm2；(c)二氧化硅颗粒的表面所存在的硫醇基的量B(个/1颗粒)相对于该二氧化硅颗粒中的硫元素的量A(在每1个二氧化硅颗粒中的硫醇来源的硫元素个数)之比(B/A)为0.10～0.60。
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公开(公告)号：CN103347812A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007100.6
申请日：2012-02-02
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01M4/5825 , H01M4/02 , H01M4/131 , H01M4/136 , H01M4/1391 , H01M4/1397 , H01M4/364 , H01M2004/021
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够连续地且大规模地合成粒径小、元素的空间分布均匀的磷酸过渡金属锂的制造方法。其解决手段如下。利用将含有锂源、过渡金属源及磷源的混合溶液以雾状的液滴形式与助燃性气体和可燃性气体一起向火焰中供给的喷雾燃烧法，合成微粒混合物。此外，还提供磷酸过渡金属锂系正极活性物质材料的制造方法，其特征在于，具备：将所合成的微粒混合物与碳源混合的工序、通过将所述微粒混合物在不活泼性气体填充气氛中烧成而制造活性物质凝聚体的工序、以及将所述活性物质凝聚体粉碎的工序。
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公开(公告)号：CN102823035B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180011244.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C01B33/32 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01B33/18 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , H01M4/5825 , H01M10/052 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供能够作为小粒径、低结晶性的锂过渡金属硅酸盐系化合物的前体的微粒混合物等。还提供含有锂过渡金属硅酸盐系化合物、在室温环境下能够进行充放电反应的正极活性物质材料。所述微粒混合物是硅氧化物微粒、过渡金属氧化物微粒和锂过渡金属硅酸盐微粒的混合物，其特征在于，在粉末X射线衍射测定中，在2θ＝33.1°附近和2θ＝35.7°附近有衍射峰，所述硅氧化物微粒和所述过渡金属氧化物微粒为非晶质，所述锂过渡金属硅酸盐微粒为微晶状态或非晶质。并且，所述正极活性物质材料是将对该微粒混合物进行热处理而得到的活性物质凝聚体粉碎来得到。
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