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公开(公告)号：CN1029272C
公开(公告)日：1995-07-05
申请号：CN88104870
申请日：1988-08-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C04B35/4504 , C01G3/006 , C01P2004/61 , C04B35/4512 , C04B35/4521 , H01L39/2419 , Y10S505/725 , Y10S505/778
Abstract: 制造含有至少一种碱土金属和铜的氧化物超导体的方法，包括的步骤：在氧分压最高为50乇的气氛中在500℃到1000℃的温度范围内加热构成该氧化物超导体的元素的材料物质；然后在含氧气氛中加热该材料物质。也公开了一种制造混合氧化物粉末(该氧化物超导体的先质)的方法，该方法包括的步骤：在氧分压最高为50的气氛中，在温度范围从500℃到1000℃之下加热该材料物质，并把该材料物质碾成粉末。
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公开(公告)号：CN1031905A
公开(公告)日：1989-03-22
申请号：CN88106326
申请日：1988-08-31
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01B12/00
CPC classification number: H01L39/248 , C04B35/45 , C04B35/62254 , Y10T29/49014
Abstract: 一种制造超导体(12)的方法包括：将陶瓷超导体或其材料混合物填充到金属容器(1)，伸拉金属容器(1)，用预定的宽度在金属容器上作槽以部分地曝露金属容器(1)内的材料(2)，烧结金属容器(1)中的材料(2)。
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公开(公告)号：CN102823035B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180011244.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C01B33/32 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01B33/18 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , H01M4/5825 , H01M10/052 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供能够作为小粒径、低结晶性的锂过渡金属硅酸盐系化合物的前体的微粒混合物等。还提供含有锂过渡金属硅酸盐系化合物、在室温环境下能够进行充放电反应的正极活性物质材料。所述微粒混合物是硅氧化物微粒、过渡金属氧化物微粒和锂过渡金属硅酸盐微粒的混合物，其特征在于，在粉末X射线衍射测定中，在2θ＝33.1°附近和2θ＝35.7°附近有衍射峰，所述硅氧化物微粒和所述过渡金属氧化物微粒为非晶质，所述锂过渡金属硅酸盐微粒为微晶状态或非晶质。并且，所述正极活性物质材料是将对该微粒混合物进行热处理而得到的活性物质凝聚体粉碎来得到。
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公开(公告)号：CN1032086A
公开(公告)日：1989-03-29
申请号：CN88104870
申请日：1988-08-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C04B35/4504 , C01G3/006 , C01P2004/61 , C04B35/4512 , C04B35/4521 , H01L39/2419 , Y10S505/725 , Y10S505/778
Abstract: 制造含有至少一种碱土金属和铜的氧化物超导体的方法，包括的步骤：在氧分压最高为50乇的气氛中在500℃到1000℃的温度范围内加热构成该氧化物超导体的元素的材料物质；然后在含氧气氛中加热该材料物质。也公开了一种制造混合氧化物粉末(该氧化物超导体的先质)的方法，该方法包括的步骤：在氧分压最高为50乇的气氛中，在温度范围从500℃到1000℃之下加热该材料物质，并把该材料物质碾成粉末。
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公开(公告)号：CN1033897A
公开(公告)日：1989-07-12
申请号：CN88106780
申请日：1988-09-21
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01B12/00
CPC classification number: C04B35/653 , C04B35/4504 , C04B35/4508 , C04B35/4521 , H01L39/2419
Abstract: 本发明涉及片状氧化物超导体，主要由稀土元素或Bi、碱土金属、铜和氧组成：具有片状外观、叠层状晶体结构并且厚度方向与晶体C轴一致。本发明也公开了片状氧化物超导体的制备方法。
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公开(公告)号：CN102770993B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180011342.8
申请日：2011-02-25
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 古河电池株式会社
IPC: H01M4/58 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/36 , H01M4/66 , H01M4/70 , H01M10/052 , H01M10/0569
CPC classification number: H01M4/5825 , C01B33/021 , H01M10/052 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明是鉴于现有技术的问题而做出的，其目的在于提供一种含有小粒径和低结晶性的锂过渡金属硅酸盐、且可以在室温环境进行充放电反应的正极活性物质材料等。本发明涉及一种非水电解质二次电池用正极活性物质材料，其特征在于，含有锂过渡金属硅酸盐，并且由粉末X射线衍射法在2θ=5~50°范围的衍射结果得到的衍射峰的半峰宽值在0.175~0.6°的范围内。
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公开(公告)号：CN102823035A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180011244.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C01B33/32 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01B33/18 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , H01M4/5825 , H01M10/052 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供能够作为小粒径、低结晶性的锂过渡金属硅酸盐系化合物的前体的微粒混合物等。还提供含有锂过渡金属硅酸盐系化合物、在室温环境下能够进行充放电反应的正极活性物质材料。所述微粒混合物是硅氧化物微粒、过渡金属氧化物微粒和锂过渡金属硅酸盐微粒的混合物，其特征在于，在粉末X射线衍射测定中，在2θ＝33.1°附近和2θ＝35.7°附近有衍射峰，所述硅氧化物微粒和所述过渡金属氧化物微粒为非晶质，所述锂过渡金属硅酸盐微粒为微晶状态或非晶质。并且，所述正极活性物质材料是将对该微粒混合物进行热处理而得到的活性物质凝聚体粉碎来得到。
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公开(公告)号：CN102770993A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180011342.8
申请日：2011-02-25
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 古河电池株式会社
IPC: H01M4/58 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/36 , H01M4/66 , H01M4/70 , H01M10/052 , H01M10/0569
CPC classification number: H01M4/5825 , C01B33/021 , H01M10/052 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明是鉴于现有技术的问题而做出的，其目的在于提供一种含有小粒径和低结晶性的锂过渡金属硅酸盐、且可以在室温环境进行充放电反应的正极活性物质材料等。本发明涉及一种非水电解质二次电池用正极活性物质材料，其特征在于，含有锂过渡金属硅酸盐，并且由粉末X射线衍射法在2θ=5~50°范围的衍射结果得到的衍射峰的半峰宽值在0.175~0.6°的范围内。
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公开(公告)号：CN1021163C
公开(公告)日：1993-06-09
申请号：CN88106326
申请日：1988-08-31
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L39/248 , C04B35/45 , C04B35/62254 , Y10T29/49014
Abstract: 一种制造超导体(12)的方法包括：将陶瓷超导体或其材料混合物填充到金属容器(1)中，伸拉金属容器(1)，用予定的宽度在金属容器上作槽以部分地曝露金属容器(1)内的材料(2)，烧结金属容器(1)中的材料(2)。
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