公开(公告)号：CN102770993B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201180011342.8

申请日：2011-02-25

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  古河电池株式会社

Inventor： 大久保典雄 ,  岛田道宏 ,  宇野直树 ,  平山阳介 ,  谷俊夫 ,  阿部英俊 ,  相田美优

IPC: H01M4/58 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/36 ,  H01M4/66 ,  H01M4/70 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0569

CPC classification number: H01M4/5825 ,  C01B33/021 ,  H01M10/052 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明是鉴于现有技术的问题而做出的，其目的在于提供一种含有小粒径和低结晶性的锂过渡金属硅酸盐、且可以在室温环境进行充放电反应的正极活性物质材料等。本发明涉及一种非水电解质二次电池用正极活性物质材料，其特征在于，含有锂过渡金属硅酸盐，并且由粉末X射线衍射法在2θ=5~50°范围的衍射结果得到的衍射峰的半峰宽值在0.175~0.6°的范围内。

公开(公告)号：CN102770993A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180011342.8

申请日：2011-02-25

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  古河电池株式会社

Inventor： 大久保典雄 ,  岛田道宏 ,  宇野直树 ,  平山阳介 ,  谷俊夫 ,  阿部英俊 ,  相田美优

IPC: H01M4/58 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/36 ,  H01M4/66 ,  H01M4/70 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0569

CPC classification number: H01M4/5825 ,  C01B33/021 ,  H01M10/052 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明是鉴于现有技术的问题而做出的，其目的在于提供一种含有小粒径和低结晶性的锂过渡金属硅酸盐、且可以在室温环境进行充放电反应的正极活性物质材料等。本发明涉及一种非水电解质二次电池用正极活性物质材料，其特征在于，含有锂过渡金属硅酸盐，并且由粉末X射线衍射法在2θ=5~50°范围的衍射结果得到的衍射峰的半峰宽值在0.175~0.6°的范围内。