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公开(公告)号：CN1131568C
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN97190702.1
申请日：1997-06-13
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L31/105 , G02B6/12
CPC分类号： H01L31/035281 , H01L31/115 , Y02B10/10 , Y02E10/50
摘要： 提供一种其漏电流受到抑制，暗电流特性优异的半导体波导型感光元件及其制造方法，该半导体波导型感光元件结构如下：在半导体衬底上依次形成p型或n型第一半导体层；设于第一半导体层上、禁带能量比第一半导体层小的第二半导体层；和设于第二光导体上、禁带能量比第二半导体层大、且导电型与第一半导体层相反的第三半导体层而成的迭层结构，迭层结构中至少第二半导体层做成台面型条带，其中，至少第二半导体层(光吸收层)侧面或/和光入射端面呈曲面。
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公开(公告)号：CN1195426A
公开(公告)日：1998-10-07
申请号：CN97190702.1
申请日：1997-06-13
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L31/105 , G02B6/12
CPC分类号： H01L31/035281 , H01L31/115 , Y02B10/10 , Y02E10/50
摘要： 提供一种其漏电流受到抑制,暗电流特性优异的半导体波导型感光元件及其制造方法,该半导体波导型感光元件所具有的半导体波导,在半导体衬底上形成一依次淀积有:p型或n型第一半导体层;设于第一半导体层上、禁带能量比第一半导体层小的第二半导体层;和设于第二光导体上、禁带能量比第二半导体层大、且导电型与第一半导体层相反的第三半导体层而成的迭层结构,迭层结构中至少第二半导体层做成台面型条带,其中,至少第二半导体层(光吸收层)侧面或/和光入射端面呈曲面。
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公开(公告)号：CN1168540A
公开(公告)日：1997-12-24
申请号：CN96123177.7
申请日：1996-12-20
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L29/861
CPC分类号： H01L31/105
摘要： 一种管脚状光电二极管，它包括：n-型InP衬底；由n-型InP层或者n-型AlInAs层组成的n涂层；由n-型GaInAsP层或者n-型AlGaInAs层组成的n光波导层；由非掺杂或者低掺杂的GaInAs层或GaInAsP层组成的光学吸收层；由p-型AlGaInAs层或者p-型AlGaInAs层组成的p光波导层；以及由p-型Inp层或者p-型AlGaInAs层组成的p涂层，其中光线平行于各层入射。
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公开(公告)号：CN1185718C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN96123177.7
申请日：1996-12-20
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L31/105
CPC分类号： H01L31/105
摘要： 一种PIN光电二极管，它包括：n-型InP衬底；由n-型InP层或者n-型AlInAs层组成的n涂层；由n-型GaInAsP层或者n-型AlGaInAs层组成的n光波导层；由非掺杂或者低掺杂的GaInAs层或GaInAsP层组成的光学吸收层；由p-型AlGaInAs层或者p-型AlGaInAs层组成的p光波导层；以及由p-型InP层或者p-型AlGaInAs层组成的p涂层，其中光线平行于各层入射。
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公开(公告)号：CN1164933A
公开(公告)日：1997-11-12
申请号：CN96190987.0
申请日：1996-08-29
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： H01L31/109 , B82Y20/00 , G02F1/01708 , G02F2001/01766 , H01L31/02327
摘要： 一种波导式光接收元件(10)包括一光电探测部分(14)，一光衰减部分(18)和具有将光电探测部分与光衰减部分电隔离而使光传输的光传输特性的电隔离部分(20)。光电探测部分包括在基片(22)上形成的n型光导层(28)和i型光吸收层(30)，及夹在光导层和光吸收层之间的一对n和p型光限制层(26和32)，从而形成了双异结结构。光衰减部分除了设置一应变MQW层代替光吸收层之外，具有与光电探测部分相似的层结构，并具有分别设置在基片顶部和底部的一吸收控制电极(16)和一电极(40)。光电探测部分的光吸收层及波导和光衰减部形成一脊结构，在水平方向上有一光限制结构及在垂直方向有一光限制结构。通过在光衰减部分的电极间施加一反向偏压，可以控制由光衰减部分吸收入射光的量，从而控制传播到光电探测部分的光强度。
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