公开(公告)号：CN109518278B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201811339108.8

申请日：2018-11-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  王跃锦 ,  刘国振 ,  郝卓然

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/00 ,  C30B31/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种富氮气氛增强氮化硼薄膜p型导电掺杂的方法，首先通过先在富氮气氛下促进六方氮化硼晶体中形成B空位的受主能级，再通过Mg在六方氮化硼晶格中的替位掺杂，两者按顺序进行，进而增强六方氮化硼薄膜p型导电性能。

公开(公告)号：CN108963092B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201810186373.0

申请日：2018-03-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  刘国振 ,  郝卓然 ,  陈航洋 ,  孙飞鹏

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种LED器件及其制造方法，该LED器件为肖特基势垒的LED器件，二维材料作为势垒绝缘层，掺杂的二维半导体材料为有源层，这样，使得载流子可以在二维半导体材料的有源层发光，以此可以获得一种二维超薄柔性的LED器件，有助于提高器件的散热性、透光率以及使用寿命，提高LED器件的性能。

公开(公告)号：CN109518278A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811339108.8

申请日：2018-11-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  王跃锦 ,  刘国振 ,  郝卓然

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/00 ,  C30B31/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种富氮气氛增强氮化硼薄膜p型导电掺杂的方法，首先通过先在富氮气氛下促进六方氮化硼晶体中形成B空位的受主能级，再通过Mg在六方氮化硼晶格中的替位掺杂，两者按顺序进行，进而增强六方氮化硼薄膜p型导电性能。

公开(公告)号：CN108963092A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810186373.0

申请日：2018-03-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  刘国振 ,  郝卓然 ,  陈航洋 ,  孙飞鹏

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种LED器件及其制造方法，该LED器件为肖特基势垒的LED器件，二维材料作为势垒绝缘层，掺杂的二维半导体材料为有源层，这样，使得载流子可以在二维半导体材料的有源层发光，以此可以获得一种二维超薄柔性的LED器件，有助于提高器件的散热性、透光率以及使用寿命，提高LED器件的性能。

公开(公告)号：CN108559973A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201711485913.7

申请日：2017-12-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  郝卓然 ,  孙飞鹏 ,  王跃锦

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/342 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/205

Abstract: 一种二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导的方法，涉及半导体薄膜p型电导。设置三温区双管路化学气相沉积系统；第一温区第一管路放置BN前驱物，第二温区第二管路放置Mg源前驱物，第三温区放置反应衬底；生长阶段开始前先将真空度控制至低于10-4torr；氢气和氩气的氛围中对衬底进行800～1000℃退火处理；三温区分别加温至设置温度，第一温区为低温区，温度70～100℃；第二温区为中温区，温度400～900℃；第三温区为高温反应区，温度900～1200℃；第一管路和第二管路通载气，携带前驱物和杂质源至反应区混合反应；生长结束，在保护气体中自然冷却到室温，得二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导。