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公开(公告)号：CN110484893B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910709300.X
申请日：2019-08-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米线核壳结构的制备方法，本发明通过将金属纳米线样品及壳层前驱物用金属箔片密封，间歇性推入低压化学气相沉积系统，同时通入气体前驱物。使得金属纳米线在高温下保持形貌稳定，从而可以获得一种包裹有二维原子层六方氮化硼的金属纳米线，有助于大幅提高金属纳米线的稳定性，保护金属纳米线免受融化、氧化、钝化、刻蚀和腐蚀等损坏。
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公开(公告)号：CN110429159B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910611191.8
申请日：2019-07-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种色温可调的无荧光粉单芯片白光LED器件，实现色温可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制造方法。该LED器件为肖特基势垒的LED器件，透明电极材料作为金属层，超薄介质材料作为势垒绝缘层，n或p型GaN作为有源层。通过调节透明金属层功函数，使得载流子可以隧穿至有源层与不同能级载流子复合发出宽谱白光，以此可以获得一种结构简单，色温可调、显色性高的单芯片无荧光粉的白光LED器件。其具有体积小、寿命长、稳定性好、发光效率高、显色性高、响应速度快等优点，将成为未来高温工作、高稳定性、高性能的极简洁单芯片白光LED的重要器件结构。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN108559973A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201711485913.7
申请日：2017-12-29
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C16/44 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/342 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/205
Abstract: 一种二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导的方法，涉及半导体薄膜p型电导。设置三温区双管路化学气相沉积系统；第一温区第一管路放置BN前驱物，第二温区第二管路放置Mg源前驱物，第三温区放置反应衬底；生长阶段开始前先将真空度控制至低于10-4torr；氢气和氩气的氛围中对衬底进行800～1000℃退火处理；三温区分别加温至设置温度，第一温区为低温区，温度70～100℃；第二温区为中温区，温度400～900℃；第三温区为高温反应区，温度900～1200℃；第一管路和第二管路通载气，携带前驱物和杂质源至反应区混合反应；生长结束，在保护气体中自然冷却到室温，得二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导。
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公开(公告)号：CN110484893A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910709300.X
申请日：2019-08-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米线核壳结构的制备方法，本发明通过将金属纳米线样品及壳层前驱物用金属箔片密封，间歇性推入低压化学气相沉积系统，同时通入气体前驱物。使得金属纳米线在高温下保持形貌稳定，从而可以获得一种包裹有二维原子层六方氮化硼的金属纳米线，有助于大幅提高金属纳米线的稳定性，保护金属纳米线免受融化、氧化、钝化、刻蚀和腐蚀等损坏。
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公开(公告)号：CN110429159A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910611191.8
申请日：2019-07-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种色温可调的无荧光粉单芯片白光LED器件，实现色温可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制造方法。该LED器件为肖特基势垒的LED器件，透明电极材料作为金属层，超薄介质材料作为势垒绝缘层，n或p型GaN作为有源层。通过调节透明金属层功函数，使得载流子可以隧穿至有源层与不同能级载流子复合发出宽谱白光，以此可以获得一种结构简单，色温可调、显色性高的单芯片无荧光粉的白光LED器件。其具有体积小、寿命长、稳定性好、发光效率高、显色性高、响应速度快等优点，将成为未来高温工作、高稳定性、高性能的极简洁单芯片白光LED的重要器件结构。
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