公开(公告)号：CN103794688A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410049914.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  陈志远 ,  朱丽虹 ,  曾凡明 ,  林飞

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L2933/0025

Abstract: 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，涉及LED器件。1）在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层；2）在步骤1）生长的透明导电层上生长一层掩膜层；3）在步骤2）生长的掩膜层上涂上压印胶，利用硬模板直接纳米压印，脱模后在胶体表面形成纳米结构；4）对外延片进行残胶去除；5）对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分，即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上；6）去除掩膜层表面所有残余压印胶；7）在外延片表面再次蒸镀与步骤1）所述相同的透明导电层；8）去除外延片表面残余掩膜层，在透明导电层上得到光子晶体结构；9）将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。

公开(公告)号：CN102280547A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110254377.6

申请日：2011-08-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  曾凡明 ,  刘威

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，涉及一种半导体发光管。从下至上依次设有衬底层、缓冲层、N型层、有源区、P型层、P金属电极和N金属电极；所述P金属电极连接P型层，N金属电极连接N型层，所述有源区被夹在P型层与N型层之间，所述有源区由包含最少2个层叠周期的势垒层和势阱层重复交替层叠而成，每1个层叠周期包含一层势垒层和一层势阱层，所述势垒层掺入P型掺杂剂。通过引入含P型掺杂剂的势垒层，提高器件有源区的发光效率，优化了器件的光电性能，达到提高氮化镓系化合物半导体发光器件的发光效率的目的。

公开(公告)号：CN103794688B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201410049914.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  陈志远 ,  朱丽虹 ,  曾凡明 ,  林飞

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，涉及LED器件。1）在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层；2）在步骤1）生长的透明导电层上生长一层掩膜层；3）在步骤2）生长的掩膜层上涂上压印胶，利用硬模板直接纳米压印，脱模后在胶体表面形成纳米结构；4）对外延片进行残胶去除；5）对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分，即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上；6）去除掩膜层表面所有残余压印胶；7）在外延片表面再次蒸镀与步骤1）所述相同的透明导电层；8）去除外延片表面残余掩膜层，在透明导电层上得到光子晶体结构；9）将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。