公开(公告)号：CN103794688A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410049914.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  陈志远 ,  朱丽虹 ,  曾凡明 ,  林飞

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L2933/0025

Abstract: 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，涉及LED器件。1）在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层；2）在步骤1）生长的透明导电层上生长一层掩膜层；3）在步骤2）生长的掩膜层上涂上压印胶，利用硬模板直接纳米压印，脱模后在胶体表面形成纳米结构；4）对外延片进行残胶去除；5）对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分，即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上；6）去除掩膜层表面所有残余压印胶；7）在外延片表面再次蒸镀与步骤1）所述相同的透明导电层；8）去除外延片表面残余掩膜层，在透明导电层上得到光子晶体结构；9）将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。

公开(公告)号：CN103794688B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201410049914.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  陈志远 ,  朱丽虹 ,  曾凡明 ,  林飞

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，涉及LED器件。1）在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层；2）在步骤1）生长的透明导电层上生长一层掩膜层；3）在步骤2）生长的掩膜层上涂上压印胶，利用硬模板直接纳米压印，脱模后在胶体表面形成纳米结构；4）对外延片进行残胶去除；5）对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分，即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上；6）去除掩膜层表面所有残余压印胶；7）在外延片表面再次蒸镀与步骤1）所述相同的透明导电层；8）去除外延片表面残余掩膜层，在透明导电层上得到光子晶体结构；9）将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。