公开(公告)号：CN102280547A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110254377.6

申请日：2011-08-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  曾凡明 ,  刘威

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，涉及一种半导体发光管。从下至上依次设有衬底层、缓冲层、N型层、有源区、P型层、P金属电极和N金属电极；所述P金属电极连接P型层，N金属电极连接N型层，所述有源区被夹在P型层与N型层之间，所述有源区由包含最少2个层叠周期的势垒层和势阱层重复交替层叠而成，每1个层叠周期包含一层势垒层和一层势阱层，所述势垒层掺入P型掺杂剂。通过引入含P型掺杂剂的势垒层，提高器件有源区的发光效率，优化了器件的光电性能，达到提高氮化镓系化合物半导体发光器件的发光效率的目的。

公开(公告)号：CN112857118A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110023987.9

申请日：2021-01-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 侯旭 ,  周磊 ,  王苗 ,  何文 ,  刘威

IPC: F28D20/02

Abstract: 本发明公开了一种基于外电场/等离子体调控碳纳米管阵列表面亲疏水原位转换的相变换热的强化方法和装置。包括如下步骤：1)制备碳纳米管阵列；2)将碳纳米管阵列的上下表面连接电极或者对碳纳米管阵列表面等离子体处理；3)通过对外电场/等离子体调控，实现对碳纳米管阵列表面亲疏水原位转换；4)利用亲疏水的相变换热表面分别进行冷凝换热和沸腾传热。

公开(公告)号：CN111099576A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911209899.7

申请日：2019-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 侯旭 ,  刘威 ,  王苗 ,  王树立 ,  周磊 ,  何文

IPC: C01B32/16 ,  H01B5/14 ,  H01B1/04

Abstract: 本发明涉及一种图案化碳纳米管阵列柔性复合薄膜的制备方法。本发明方法基于传统的化学气相沉积方法，利用光刻胶模板法对生长基底进行图案化，非图案区域蒸镀铂粒子抑制碳纳米管阵列的生长，利用浮动辅助气相催化法沉积得到图案化的碳纳米管阵列。在此基础上，开发出了特定比例的聚合物复合固化，切片获得具有图案的多壁碳纳米管阵列柔性薄膜。本发明提供了一种图案化多壁碳纳米管生长并与柔性聚合物复合、固化、切片获得新型柔性碳纳米管阵列薄膜的制备方法。

公开(公告)号：CN102290457A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110254380.8

申请日：2011-08-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  刘威

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/062

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种场效应太阳能电池，涉及一种半导体太阳能电池。从下至上依次设有底部欧姆电极、衬底、本征半导体材料层、透明绝缘层、透明导电膜，在本征半导体材料层表面一侧或两侧通过刻蚀和溅射工艺制成侧面欧姆电极，在透明导电膜上制作金属栅极，金属栅极外接电源，在衬底底面制作底部欧姆电极，底部欧姆电极接地。其电场区域比传统pn结太阳能电池更靠近表面，且宽度大，更有利于太阳光的吸收，提高了效率。可应用于制造GaN，ZnO等宽直接带隙本征半导体材料太阳能电池，以避开其p型掺杂的困难。栅极电压在一定范围可调，通过加上较强的栅极电压，有效的消除了金属与半导体功函数差以及绝缘层非故意掺杂电荷对表面电场的影响，提高开路电压。