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公开(公告)号：CN114296326A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202210115749.5
申请日：2016-06-17
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 所公开的是一种光学系统(200)，其包括：第一光学控制回路(233a)，其配置为调节第一光学元件(124)相对于第一模块传感器框架(208a)的位置和/或对准；以及第一模块控制回路(2l6a)，其配置为调节第一模块传感器框架(208a)相对于主传感器框架(204)的位置和/或对准；和/或第二光学控制回路(233b)，其配置为调节第二光学元件(126)相对于第二模块传感器框架(208b)的位置和/或对准；以及第二模块控制回路(216b)，其配置为调节第二模块传感器框架(208b)相对于主传感器框架(204)的位置和/或对准。
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公开(公告)号：CN107810399A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680035995.2
申请日：2016-03-31
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B7/003 , G01M11/0221 , G01M11/0292 , G02B7/023 , G03F7/7015 , G03F7/70258 , G03F7/7085
Abstract: 本发明涉及制造光刻设备(100)的镜头(104)的方法，该方法包括如下步骤：a)提供至少一个第一部分镜头和至少一个第二部分镜头(200A，200B)，其中所述至少一个第一部分镜头(200A)包括多个光学元件(202A)且所述至少一个第二部分镜头(200B)包括至少一个光学元件(202B)，其中所述至少一个第一部分镜头和至少一个第二部分镜头(200A，200B)各具有束路径(204A，204B)，所述束路径在特定部分镜头(200A，200B)的输入侧和/或输出侧(206，210，212)上是非同心的；b)沿着所述至少一个第一部分镜头和至少一个第二部分镜头(200A，200B)的各束路径(204A，204B)传输至少一个第一光束(500，602)，并且在所述特定部分镜头(200A，200B)的之后感测所述至少一个第一光束(500，602)；c)基于感测的、至少一个第一光束(500，602)，确定各部分镜头(200A，200B)的至少一个光学特性；d)根据确定的光学特性，调节所述第一部分镜头(200A)的多个光学元件(202A)和所述第二部分镜头(200B)的至少一个光学元件(202B)；以及e)接合所述至少一个第一部分镜头和所述至少一个第二部分镜头(200A，200B)，以制造所述镜头(104)。
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公开(公告)号：CN103608729A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280028001.6
申请日：2012-06-06
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F9/00 , G01B11/02 , G01M11/0264 , G03F7/706 , G03F7/7085
Abstract: 一种用于投射曝光设备（1）的物镜（27），包含布置在物镜框架（28）上的度量台（30）。
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公开(公告)号：CN103620500B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201280030365.8
申请日：2012-06-19
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 一种用于使光刻结构信息成像的投射设备(1)，包含：光学元件(2)，其至少部分具有由导电层材料构成的涂层(14)。涂层(14)包含连续区域(100)，该连续区域不具有遮挡投射光的元件。在该情况下，取决于温度变化，层材料和/或光学元件(2)改变光学特性，尤其是折射率或光学路径长度。提供至少一个单元(3)，用于将能量耦合进层材料中，该至少一个单元耦合能量使得层材料将耦合的能量转变为热能。层材料可包含石墨烯、铬和硫化钼(MoS2)。
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公开(公告)号：CN103608729B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280028001.6
申请日：2012-06-06
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F9/00 , G01B11/02 , G01M11/0264 , G03F7/706 , G03F7/7085
Abstract: 一种用于投射曝光设备（1）的物镜（27），包含布置在物镜框架（28）上的度量台（30）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103229248A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180056893.6
申请日：2011-09-13
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G21K1/06
CPC classification number: G02B5/0891 , B82Y10/00 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/061
Abstract: 本发明涉及一种包含基底(S)和层布置的反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)，其中将所述层布置设计为使得以至少在0°和30°之间的入射角入射于反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)上的、波长小于250nm的光(32)的强度被反射超过20%，以及所述层布置包含至少一个表面层系(P’’’)，其由单独层的至少两个周期(P3)的周期序列构成，其中所述周期(P3)包含由不同材料构成的两个单独层，该不同材料用于高折射率层(H’’’)和低折射率层(L’’’)，其中所述层布置包含至少一个由石墨烯构成的层(G、SPL、B)。此外，本发明涉及在光学元件上使用石墨烯(G、SPL、B)，用于将表面粗糙度降低至少于0.1nm rms HSFR，和/或用于保护EUV波长范围内的光学元件不遭受辐射导致的不可逆的体积变化大于1%，及/或作为阻挡层，用于在EUV波长范围中防止所谓的多层反射镜的层之间的相互扩散。
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公开(公告)号：CN107810399B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680035995.2
申请日：2016-03-31
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明涉及制造光刻设备(100)的镜头(104)的方法，该方法包括如下步骤：a)提供至少一个第一部分镜头和至少一个第二部分镜头(200A，200B)，其中所述至少一个第一部分镜头(200A)包括多个光学元件(202A)且所述至少一个第二部分镜头(200B)包括至少一个光学元件(202B)，其中所述至少一个第一部分镜头和至少一个第二部分镜头(200A，200B)各具有束路径(204A，204B)，所述束路径在特定部分镜头(200A，200B)的输入侧和/或输出侧(206，210，212)上是非同心的；b)沿着所述至少一个第一部分镜头和至少一个第二部分镜头(200A，200B)的各束路径(204A，204B)传输至少一个第一光束(500，602)，并且在所述特定部分镜头(200A，200B)的之后感测所述至少一个第一光束(500，602)；c)基于感测的、至少一个第一光束(500，602)，确定各部分镜头(200A，200B)的至少一个光学特性；d)根据确定的光学特性，调节所述第一部分镜头(200A)的多个光学元件(202A)和所述第二部分镜头(200B)的至少一个光学元件(202B)；以及e)接合所述至少一个第一部分镜头和所述至少一个第二部分镜头(200A，200B)，以制造所述镜头(104)。
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公开(公告)号：CN103069342B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180039014.9
申请日：2011-06-15
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： R.弗赖曼
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G01N21/9515 , G01T1/16 , G01T1/2006 , G03F7/70591 , G03F7/70666 , G03F7/7085
Abstract: 一种用于利用光刻掩模(16)所产生的辐射分布(24)的局部解析测量的方法，包括提供辐射转换器(31,131)，其具有至少二维布置的转换器元件(32,132)，所述转换器元件可分别被置于活动状态和非活动状态，并在活动状态中转换入射辐射的波长。此方法还包括：操纵辐射转换器(31,131)数次，使得分别仅部分的转换器元件(32,132)处于活动状态；在辐射转换器(31,131)的每次操纵后，利用辐射分布(24)照射辐射转换器(31,131)，使得活动的转换器元件(32,132)发射波长转换的测量辐射(34)；在辐射分布(24)的每次照射时，记录测量辐射的各自原点位置(54)。此外，从以多次不同照射步骤记录的原点位置，确定光刻掩模(16)所产生的辐射分布(24)。
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公开(公告)号：CN102648402B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080053976.5
申请日：2010-09-08
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/70833 , G01B9/02027 , G01B9/0209 , G01B11/2441 , G01B2290/15 , G03F7/70233 , G03F7/70258
Abstract: 本发明关于一种光学系统，尤其是在微光刻投射曝光设备中的系统，其包含第一光学组件（110，210，910）、第二光学组件（120，220，920）、以及用于确定第一光学组件和第二光学组件在六个自由度上的相对位置的测量布置，其中测量布置用于确定第一光学组件及第二光学组件在六个不同长度测量区段（131-136;231-236）的相对位置，其中所述长度测量区段（131-136;231-236）直接延伸于第一光学组件（110，210，910）及第二光学组件之间（120，220，920）。
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公开(公告)号：CN103620500A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280030365.8
申请日：2012-06-19
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/7015 , G03F7/70266 , G03F7/70308 , G03F7/70891
Abstract: 一种用于使光刻结构信息成像的投射设备(1)，包含：光学元件(2)，其至少部分具有由导电层材料构成的涂层(14)。涂层(14)包含连续区域(100)，该连续区域不具有遮挡投射光的元件。在该情况下，取决于温度变化，层材料和/或光学元件(2)改变光学特性，尤其是折射率或光学路径长度。提供至少一个单元(3)，用于将能量耦合进层材料中，该至少一个单元耦合能量使得层材料将耦合的能量转变为热能。层材料可包含石墨烯、铬和硫化钼(MoS2)。
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