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公开(公告)号：CN114822378B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210309920.6
申请日：2022-03-28
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种全彩LED器件控制方法，该器件由多个像素点构成，每个像素点由单颗无颜色转换材料的芯片构成。该单颗芯片在大电流密度下发光为蓝色，在中电流密度下发光为绿色，在小电流密度下发光为红色。通过脉冲宽度调制方法（PWM）调节电流大小来实现不同颜色，调节占空比来实现不同亮度，最终实现每个像素点单芯片全彩显示。本发明在单颗无颜色转换材料的芯片上实现了全彩发光，相对于不同颜色LED芯片多次转移，本发明只需要单次转移即可，避免了多次转移工艺复杂性和高成本问题，提高了显示的空间像素，有益于批量化实现Micro LED芯片的集成。另一方面本发明LED器件发光性能稳定、可靠性高，不存在颜色转换材料不稳定性和有毒等问题。
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公开(公告)号：CN116539154A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310583997.7
申请日：2023-05-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于鉴别紫外光成分的便携分光器，其结构特点是：包含两个大小不同的凸透镜、一个含有圆形镂空孔的滤光屏、一个含有长条形镂空孔的滤光屏、一个长棱镜、一个内壁高度吸光的外壳、一个可拆卸的上盖、一个荧光屏、一个反射镜、一个目镜。本发明的优点是：（1）可在不使用光谱仪的条件下，使人眼清晰辨别出光源是否含有紫外光成分；（2）与市场上常见的光谱仪相比成本更低廉，且更方便携带。
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公开(公告)号：CN113109415A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110323804.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，该表征方法是通过二次离子质谱仪探测器收集包含了界面两侧薄膜中特征元素组成的原子团簇型离子，分析该原子团簇型离子的信号，利用其峰值位置确定样品界面位置。所述原子团簇型离子能与待测的元素离子或待测的原子团簇型离子一起测试或分别测试，通过数据处理比对后实现对该信号的界面定位。本发明在利用二次离子质谱表征薄膜材料时，在不增加测试原材料损耗与仪器运行成本的条件下，无需数据拟合，仅使用实验数据即可直接标定待测样品中多层膜的界面位置，提高表征精度，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN102605201A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210075143.X
申请日：2012-03-21
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种铜及铜合金熔炼用覆盖剂，其特征是其成分为：5-10wt.%的氟化钙、5-15wt.%的氯化钠、3-10wt.%的石墨、余量为冰晶石；将以上原料按比例混合均匀，经200℃烘干后得到。本发明的覆盖剂具有：保温效果非常显著，熔点高，化学性稳定，有害杂质少，兼有防止吸气和脱氧等多种作用；覆盖效果非常好，铸锭非常致密，表面光洁，没有可见的气孔，切削性能好；除气清渣能力强，能还原金属液中的氧化夹杂物，消除低熔点夹杂物，同时也能去除吸附其上的氢和氧，从而精炼金属液；与铜液分离性好，且绝不粘炉壁，易于操作，防治了熔沟堵塞、缩小、蚀大的现象；无公害，安全环保，使用方便，价格低廉。
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公开(公告)号：CN113109415B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110323804.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，该表征方法是通过二次离子质谱仪探测器收集包含了界面两侧薄膜中特征元素组成的原子团簇型离子，分析该原子团簇型离子的信号，利用其峰值位置确定样品界面位置。所述原子团簇型离子能与待测的元素离子或待测的原子团簇型离子一起测试或分别测试，通过数据处理比对后实现对该信号的界面定位。本发明在利用二次离子质谱表征薄膜材料时，在不增加测试原材料损耗与仪器运行成本的条件下，无需数据拟合，仅使用实验数据即可直接标定待测样品中多层膜的界面位置，提高表征精度，提高测试效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118053933A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410273817.X
申请日：2024-03-11
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L31/12 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体器件，具体涉及具有光探测与发光双功能的光电器件及其制备方法。所述具有光探测与发光双功能的光电器件包括依次层叠的以下各层：N型GaN层；光吸收层，所述光吸收层为Si掺杂的InxGa1‑xN/GaN超晶格，其中0.01≤x≤0.16；发光层，所述发光层为Si掺杂的InyGa1‑yN/GaN量子阱，其中0.16≤y≤0.4；P型AlGaN层；以及P型GaN层。
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公开(公告)号：CN117995968A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311585140.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管量子阱保护层的生长方法，量子阱的单元结构自下而上包括InGaN阱层，AlxGa1‑xN保护层和GaN势垒层，其特征在于包括以下生长步骤：在T1温度下生长InGaN阱层；在生长AlxGa1‑xN保护层过程中将温度从T1线性升高到T2，且使AlxGa1‑xN保护层中Al组分渐变减少；升温至T3生长GaN势垒层。相比较现有技术中单层的AlxGa1‑xN保护层，采用递增温度和递减组分方式生长的AlxGa1‑xN保护层，能阻挡高温下InGaN阱层中的In的分解，提高InGaN阱层的晶体质量，且有利于提高AlxGa1‑xN保护层的晶体质量，为GaN势垒的生长提供更好的界面，从而提高长波段LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN116779734A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211322107.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高发光效率的GaN基长波长LED器件结构及其生长方法，该GaN基长波长LED器件结构包括有源层结构，其中，所述有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱和InGaN/AlGaN/GaN多量子阱。生长InGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于GaN垒层；生长InGaN/AlGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于AlGaN层和GaN垒层，AlGaN层与GaN垒层保持一致。一种有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱结构以及InGaN/AlGaN/GaN多量子阱结构，可减少电子空穴泄露，改善量子阱质量，提高载流子在有源区的辐射复合速率，进而达到实现去除传统P‑AlGaN电子阻挡层以及提高GaN基长波长LED器件发光效率的目的。
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公开(公告)号：CN114744088A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210236915.7
申请日：2022-03-11
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化偏角硅衬底及其制备方法，本发明的制备方法是在偏角硅衬底的表面设有横向隔离带和纵向隔离带，这些相互平行或相互垂直的隔离带把偏角硅衬底分割成多个方块作为生长平台，隔离带的成分为SiO2或SiN，而且隔离带上不易生长GaN层，隔离带的方向与偏角硅衬底的参考边晶向形成设定的夹角，从而减少了氮化镓薄膜受到的应力，使平台内的氮化镓薄膜发光更加均匀，提高了外延可使用面积，从而进一步提高硅基III‑V族外延薄膜的外延良率。
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公开(公告)号：CN102634808B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201210071358.4
申请日：2012-03-19
Applicant: 南昌大学
IPC: C23G1/14
Abstract: 一种废涂层硬质合金表面含Al2O3的多元复合涂层的剥离方法，其特征是：首先，对废涂层硬质合金喷砂处理；再将该喷砂后的废涂层硬质合金浸到配制的涂层剥离液中，涂层剥离液的配制方法为：将三水合焦磷酸钾K4P2O7·3H2O加水溶解，然后缓慢加入双氧水H2O2，滴入NaOH溶液调节pH值至7～13，调溶液温度至10℃～40℃；溶液中K4P2O7·3H2O浓度为15g/L～80g/L，溶液中H2O2的体积分数为20%～98%。本发明能够快速、高效的剥离废涂层硬质合金表面含Al2O3的多元复合涂层，并且该涂层剥离液的制备方法简单，成本低，适用于工业上涂层硬质合金再生利用过程中剥离涂层。
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