公开(公告)号：CN113109415A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110323804.5

申请日：2021-03-26

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 潘拴 ,  张优政 ,  张建立 ,  李丹 ,  杨小霞

IPC: G01N27/62

Abstract: 本发明公开了一种适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，该表征方法是通过二次离子质谱仪探测器收集包含了界面两侧薄膜中特征元素组成的原子团簇型离子，分析该原子团簇型离子的信号，利用其峰值位置确定样品界面位置。所述原子团簇型离子能与待测的元素离子或待测的原子团簇型离子一起测试或分别测试，通过数据处理比对后实现对该信号的界面定位。本发明在利用二次离子质谱表征薄膜材料时，在不增加测试原材料损耗与仪器运行成本的条件下，无需数据拟合，仅使用实验数据即可直接标定待测样品中多层膜的界面位置，提高表征精度，提高测试效率。

公开(公告)号：CN113109415B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202110323804.5

申请日：2021-03-26

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 潘拴 ,  张优政 ,  张建立 ,  李丹 ,  杨小霞

IPC: G01N27/62

Abstract: 本发明公开了一种适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，该表征方法是通过二次离子质谱仪探测器收集包含了界面两侧薄膜中特征元素组成的原子团簇型离子，分析该原子团簇型离子的信号，利用其峰值位置确定样品界面位置。所述原子团簇型离子能与待测的元素离子或待测的原子团簇型离子一起测试或分别测试，通过数据处理比对后实现对该信号的界面定位。本发明在利用二次离子质谱表征薄膜材料时，在不增加测试原材料损耗与仪器运行成本的条件下，无需数据拟合，仅使用实验数据即可直接标定待测样品中多层膜的界面位置，提高表征精度，提高测试效率。