-
公开(公告)号：CN119727455A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411886715.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开一种基于二维纳米材料的发电器件的制备方法，属于纳米发电器件技术领域。本发明制备的发电器件包括衬底，在衬底上制备若干个二维材料纳米带，在所述二维材料纳米带上形成多个褶皱，所述单个或多个褶皱为一个发电单元，在所述发电单元的两端制备电极，形成发电器件。在外界机械力作用下，作为发电单元的褶皱结构在压应力或拉应力的挠曲电场会改变，从而获得稳定的电流。本发明利用挠曲电效应，随着材料尺寸减小至纳米尺度，可以实现与纳电子器件和电路相匹配。
-
公开(公告)号：CN116462155A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310482381.0
申请日：2023-04-30
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于PVA薄膜搭建多层二维层状材料的方法，包括PVA溶液的制备；PVA薄膜的制备；搭建二维层状材料扭转同质结构及异质结构；转移二维异质结构到目标衬底上等步骤。本发明具有以下技术效果：（1）使用的PVA膜的水溶性确保了材料界面不会引入污染，对样品损害极小；（2）PVA的高粘性足以将同一片材料一分为二，因此转移过程可以精确控制材料的位置和结构排列原始取向，满足了扭转角同质结构与异质结构等的制备等需求；（3）为二维层状材料提供了一种灵活性高、高效简单、无损、低成本的转移方案。
-
公开(公告)号：CN112853290A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110007223.0
申请日：2021-01-05
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法,该方法是采用限域空间法，并结合磁控溅射法和化学气相沉积法，通过优化反应参数，得到大面积MoS2薄膜材料，基于两步法得到的薄膜具有面积大、均匀性好、可控性强、结晶性好等特点，该方法操作简单、耗时短，可以大规模生产和应用。
-
公开(公告)号：CN118431337A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410445906.8
申请日：2024-04-15
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/102
Abstract: 本发明属于半导体紫外光电探测技术领域，具体涉及一种TiSe2‑TiO2日盲探测器及其制备方法和应用。该TiSe2‑TiO2日盲光电探测器以二维过渡金属硫族化合物TiSe2为原材料，通过机械剥离得到TiSe2薄膜，转移至带有预电极的衬底上，然后采用激光辐照的方法，制备TiSe2‑TiO2横向异质结，进而构建得到。本发明以二维过渡金属硫族化合物TiSe2为原材料，首次创新提出了机械剥离和激光辐照相结合的方法，制备TiSe2‑TiO2横向异质结。采用激光辐照的方法，一方面可以通过调节激光功率和积分时间实现对不同厚度TiSe2不同程度的氧化，另一方面还可以借助扫描面积灵活控制器件面积；此外，该本发明操作简单，耗时短，原料廉价易得，安全环保，并且制得的异质结器件的光电探测性能优异。
-
公开(公告)号：CN116564824A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310482380.6
申请日：2023-04-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/44 , H01L21/443
Abstract: 一种低接触电阻的二维半导体器件的制备方法，通过机械剥离法从对应的母体块材中分别获得二硫化钼、石墨烯、六方氮化硼少层薄膜，并用PDMS干法转移技术依次将上述少层薄膜转移至清洗后的SiO2/Si衬底上，获得MoS2/hBN/Gra异质结；在上述衬底上旋涂聚甲基丙烯酸酯，加热台保温；再利用电子束曝光获得目标电极图案，并镀上Ti/Ni金属电极，然后将衬底置于丙酮中以除去PMMA；再将上述器件放入氩气等离子体刻蚀机中刻蚀以除去暴露于电极外的石墨烯。本发明异质结间的范德华接触有效的抑制了FLD效应，实现了比金属直接接触型场效应管更高的电流开关比。本方法较容易实现，且有效优化了顶部接触的接触电阻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116553491A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310657295.9
申请日：2023-06-05
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种电化学剥离法制备二维层状硒化铟材料的方法，包括以下步骤：将电解质配置成电化学剥离溶液；在电解槽中将包裹硒化铟材料的金属网作阳极，金属片作阴极，倒入电化学剥离溶液后，电解反应：直流恒压2~4V，1~3h，至硒化铟材料完全剥离；然后用二甲基甲酰胺洗涤，再放入丙酮中分散，得分散溶液，离心；离心的溶液在硅片上旋涂制样，得到二维层状硒化铟材料。本发明具有操作容易、成本低、产量高、过程简单、步骤少、反应温度温和、生产周期短、环境友好的优点，产品的结构优异，能获得大面积超薄的In2Se3薄片，同时In2Se3表面厚度均匀，层数少，薄膜具有铁电性。与其它材料组合制成的异质结，具有良好的电特性曲线。
-
公开(公告)号：CN117241652A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311233968.4
申请日：2023-09-23
Applicant: 南昌大学
IPC: H10N30/045 , H10N30/30 , H10N30/093 , G01B7/16
Abstract: 一种构建二维材料应变测试结构的方法，所述结构自上而下依次为衬底、PMMA和二维材料，并根据测试需要制作电极。该应变测试结构会使在PMMA结构上方的二维材料产生均匀形变；使得二维材料在PMMA结构的边缘处产生弯曲变形，在沿厚度方向产生应变梯度，之后可进行各项性能的测试。本发明在不破坏二维层状材料的情况下，可提供可控的应变；实施方式简单，耗时短；本发明中的应变测试结构可以用于探究应变和应变梯度对于二维材料的影响，未来可以应用于柔性器件领域。
-
公开(公告)号：CN116322292A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310537245.7
申请日：2023-05-14
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于六方氮化硼阻变存储器及制备方法。阻变存储器自下而上依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极；阻变层材料为h‑BN薄膜；通过机械剥离法制得六方氮化硼薄膜，并通过聚焦离子束局部调控引入缺陷作为阻变介质层，制备基于六方氮化硼的阻变存储器。本发明采用h‑BN作为阻变层介质，成功实现了h‑BN作为阻变层的阻变响应；器件具有SET电压和RESET电压低的特点；采用聚焦离子束对h‑BN表面加工，引入缺陷，实现了聚焦离子束对二维材料的局部加工；并且通过可控引入缺陷，降低了Au/h‑BN/Ag 阻变存储器的SET电压；并具有制备方法操作简单，耗时短的特点。
-
公开(公告)号：CN112853290B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110007223.0
申请日：2021-01-05
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法,该方法是采用限域空间法，并结合磁控溅射法和化学气相沉积法，通过优化反应参数，得到大面积MoS2薄膜材料，基于两步法得到的薄膜具有面积大、均匀性好、可控性强、结晶性好等特点，该方法操作简单、耗时短，可以大规模生产和应用。
-
公开(公告)号：CN116443823A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310260943.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种碲烯纳米结构的制备方法。该方法是采用激光辐照，基于高功率密度下产生的局部热效应来改变材料的结构，以碲化物为基体，制备碲烯纳米结构。该方法得到的碲烯纳米结构采用激光辐照光斑小，可进行局域微区的精确调控，操作简单、耗时短，可以大规模应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.019 seconds)
