公开(公告)号：CN116564824A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310482380.6

申请日：2023-04-30

Applicant: 南昌大学

Inventor： 万思源 ,  余聪 ,  周杨波 ,  黄汉英 ,  李志雄 ,  刘焕林 ,  吴宇航

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/443

Abstract: 一种低接触电阻的二维半导体器件的制备方法，通过机械剥离法从对应的母体块材中分别获得二硫化钼、石墨烯、六方氮化硼少层薄膜，并用PDMS干法转移技术依次将上述少层薄膜转移至清洗后的SiO2/Si衬底上，获得MoS2/hBN/Gra异质结；在上述衬底上旋涂聚甲基丙烯酸酯，加热台保温；再利用电子束曝光获得目标电极图案，并镀上Ti/Ni金属电极，然后将衬底置于丙酮中以除去PMMA；再将上述器件放入氩气等离子体刻蚀机中刻蚀以除去暴露于电极外的石墨烯。本发明异质结间的范德华接触有效的抑制了FLD效应，实现了比金属直接接触型场效应管更高的电流开关比。本方法较容易实现，且有效优化了顶部接触的接触电阻。

公开(公告)号：CN116553491A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310657295.9

申请日：2023-06-05

Applicant: 南昌大学

Inventor： 万思源 ,  江子朋 ,  周杨波 ,  吴宇航 ,  黄汉英 ,  余聪 ,  李志雄 ,  刘焕林

IPC: C01B19/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种电化学剥离法制备二维层状硒化铟材料的方法，包括以下步骤：将电解质配置成电化学剥离溶液；在电解槽中将包裹硒化铟材料的金属网作阳极，金属片作阴极，倒入电化学剥离溶液后，电解反应：直流恒压2~4V，1~3h，至硒化铟材料完全剥离；然后用二甲基甲酰胺洗涤，再放入丙酮中分散，得分散溶液，离心；离心的溶液在硅片上旋涂制样，得到二维层状硒化铟材料。本发明具有操作容易、成本低、产量高、过程简单、步骤少、反应温度温和、生产周期短、环境友好的优点，产品的结构优异，能获得大面积超薄的In2Se3薄片，同时In2Se3表面厚度均匀，层数少，薄膜具有铁电性。与其它材料组合制成的异质结，具有良好的电特性曲线。

公开(公告)号：CN116462155A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310482381.0

申请日：2023-04-30

Applicant: 南昌大学

Inventor： 万思源 ,  黄汉英 ,  周杨波 ,  余聪 ,  李志雄 ,  刘焕林 ,  吴宇航

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/20

Abstract: 一种基于PVA薄膜搭建多层二维层状材料的方法，包括PVA溶液的制备；PVA薄膜的制备；搭建二维层状材料扭转同质结构及异质结构；转移二维异质结构到目标衬底上等步骤。本发明具有以下技术效果：（1）使用的PVA膜的水溶性确保了材料界面不会引入污染，对样品损害极小；（2）PVA的高粘性足以将同一片材料一分为二，因此转移过程可以精确控制材料的位置和结构排列原始取向，满足了扭转角同质结构与异质结构等的制备等需求；（3）为二维层状材料提供了一种灵活性高、高效简单、无损、低成本的转移方案。