公开(公告)号：CN116553491A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310657295.9

申请日：2023-06-05

Applicant: 南昌大学

Inventor： 万思源 ,  江子朋 ,  周杨波 ,  吴宇航 ,  黄汉英 ,  余聪 ,  李志雄 ,  刘焕林

IPC: C01B19/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种电化学剥离法制备二维层状硒化铟材料的方法，包括以下步骤：将电解质配置成电化学剥离溶液；在电解槽中将包裹硒化铟材料的金属网作阳极，金属片作阴极，倒入电化学剥离溶液后，电解反应：直流恒压2~4V，1~3h，至硒化铟材料完全剥离；然后用二甲基甲酰胺洗涤，再放入丙酮中分散，得分散溶液，离心；离心的溶液在硅片上旋涂制样，得到二维层状硒化铟材料。本发明具有操作容易、成本低、产量高、过程简单、步骤少、反应温度温和、生产周期短、环境友好的优点，产品的结构优异，能获得大面积超薄的In2Se3薄片，同时In2Se3表面厚度均匀，层数少，薄膜具有铁电性。与其它材料组合制成的异质结，具有良好的电特性曲线。