公开(公告)号：CN116443823B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202310260943.7

申请日：2023-03-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周杨波 ,  李婧 ,  廖霞霞 ,  张家玮 ,  刘晨良

IPC: C01B19/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种碲烯纳米结构的制备方法。该方法是采用激光辐照，基于高功率密度下产生的局部热效应来改变材料的结构，以碲化物为基体，制备碲烯纳米结构。该方法得到的碲烯纳米结构采用激光辐照光斑小，可进行局域微区的精确调控，操作简单、耗时短，可以大规模应用。

公开(公告)号：CN116487264A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310405533.7

申请日：2023-04-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周杨波 ,  刘广健 ,  肖志林 ,  廖霞霞 ,  张家玮 ,  柯明杰

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于二维材料晶体管器件领域，公开了一种ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管及其制备方法。本发明通过直接氧化法，结合电子束刻蚀和真空镀膜技术制得ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管。该制备方法操作简单，成本低、耗时短，只通过一次样品转移即制备出了ZrS3/ZrO异质结且可实现大量异质结同时制备；与常规的异质结制备方法不同，本发明首次提出通过热氧化处理沟道材料表层以获得介电层，且无需考虑介电材料与沟道材料的晶格匹配和结合性问题，制得的ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管。

公开(公告)号：CN116443823A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310260943.7

申请日：2023-03-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周杨波 ,  李婧 ,  廖霞霞 ,  张家玮 ,  刘晨良

IPC: C01B19/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种碲烯纳米结构的制备方法。该方法是采用激光辐照，基于高功率密度下产生的局部热效应来改变材料的结构，以碲化物为基体，制备碲烯纳米结构。该方法得到的碲烯纳米结构采用激光辐照光斑小，可进行局域微区的精确调控，操作简单、耗时短，可以大规模应用。