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公开(公告)号：CN106206829A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610614357.8
申请日：2016-07-29
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明属于光电探测技术领域，提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成，可见光探测器为最简单的三明治结构，可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜，位于底电极2和顶电极4之间。其制造方法为，首先将透明导电玻璃刻蚀，形成0.8cm宽的透明导电窄条，然后利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜，最后用磁控溅射或者蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4，便得到基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。该可见光探测器拥有良好的光响应度、持久可重复跳变性能、快速的响应时间，且结构简单，制作成本低，原料丰富易得，制造方法简单，采用磁控溅射和蒸镀技术，可以规模化生产。
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公开(公告)号：CN105576125A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610079963.4
申请日：2016-02-04
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/30 , G01N27/414
CPC分类号： H01L51/0508 , G01N27/414 , H01L51/005 , H01L51/102
摘要： 本发明属于有机场效应晶体管技术领域。本发明提供了一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法，所述晶体管从下至上依次为n型掺杂硅栅极电极、二氧化硅介电层、十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰层、活性半导体材料层和金源漏电极，其特征在于，n型掺杂硅栅极电极的边缘设置了栅极测试槽口和离子溶液槽口，所述活性半导体材料层选用TII(BFu)2。本发明所述晶体管对于不同离子呈现清晰的间隔排布，同时还对10-6M到10-2M的钠离子浓度有梯度变化的电流响应，适用于离子的检测。本发明方法测试结构简单便捷，摆脱了传统测试结构能耗较大的问题，测试过程中稳定性高，离子检测过程中选择性响应明显，并且耗材成本低廉，适用于大规模批量化生产及测试。
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公开(公告)号：CN105624625B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610133598.0
申请日：2016-03-09
申请人： 南京邮电大学
摘要： 一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法，在制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜过程中，当磁控溅射中间层金属Ag层时，在溅射气体氩气中通入的适量的氧气作为反应气体，所述氧气与氩气的体积比为1:100~3:100；利用氧气对Ag纳米颗粒生长过程中的诱导作用，使得生长在底层ZnO薄膜上的Ag纳米颗粒变得井然有序，有效的改善了Ag层的形貌。实现提高ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜透光性和导电性的目的。本发明采用室温下磁控溅射方法制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜具有较好的透光性、导电性和稳定性，可以有效的取代ITO用做有机发光二极管或太阳能电池透明电极。
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公开(公告)号：CN105679939A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610145849.7
申请日：2016-03-15
申请人： 南京邮电大学
CPC分类号： H01L51/0071 , H01L51/0036 , H01L51/0512
摘要： 本发明属于有机电子器件技术领域，提供一种基于掺杂噻吩异靛的有机薄膜场效应晶体管，所述有机薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极、活性层和绝缘层，栅电极与源电极、漏电极之间通过绝缘层绝缘，源电极与漏电极相互不接触并以活性层为导电通道，其特征在于，采用有机聚合物掺杂的有机半导体材料作为有机薄膜器件晶体管的活性层；所述作为掺杂的聚合物为聚噻吩衍生物，所述有机半导体材料是一种含有噻吩异靛结构的有机小分子材料。本发明有效改善了有机薄膜晶体管的可控性，提高了器件性能，且工艺简单，成本降低，适于大规模生产。所述有机小分子材料具有如下结构通式：
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公开(公告)号：CN105624625A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610133598.0
申请日：2016-03-09
申请人： 南京邮电大学
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/086 , C23C14/18
摘要： 一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法，在制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜过程中，当磁控溅射中间层金属Ag层时，在溅射气体氩气中通入的适量的氧气作为反应气体，所述氧气与氩气的体积比为1:100~3:100；利用氧气对Ag纳米颗粒生长过程中的诱导作用，使得生长在底层ZnO薄膜上的Ag纳米颗粒变得井然有序，有效的改善了Ag层的形貌。实现提高ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜透光性和导电性的目的。本发明采用室温下磁控溅射方法制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜具有较好的透光性、导电性和稳定性，可以有效的取代ITO用做有机发光二极管或太阳能电池透明电极。
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公开(公告)号：CN105576125B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610079963.4
申请日：2016-02-04
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/30 , G01N27/414
摘要： 本发明属于有机场效应晶体管技术领域。本发明提供了一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法，所述晶体管从下至上依次为n型掺杂硅栅极电极、二氧化硅介电层、十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰层、活性半导体材料层和金源漏电极，其特征在于，n型掺杂硅栅极电极的边缘设置了栅极测试槽口和离子溶液槽口，所述活性半导体材料层选用TII(BFu)2。本发明所述晶体管对于不同离子呈现清晰的间隔排布，同时还对10‑6M到10‑2M的钠离子浓度有梯度变化的电流响应，适用于离子的检测。本发明方法测试结构简单便捷，摆脱了传统测试结构能耗较大的问题，测试过程中稳定性高，离子检测过程中选择性响应明显，并且耗材成本低廉，适用于大规模批量化生产及测试。
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公开(公告)号：CN106206829B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201610614357.8
申请日：2016-07-29
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明属于光电探测技术领域，提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成，可见光探测器为最简单的三明治结构，可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜，位于底电极2和顶电极4之间。其制造方法为，首先将透明导电玻璃刻蚀，形成0.8cm宽的透明导电窄条，然后利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜，最后用磁控溅射或者蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4，便得到基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。该可见光探测器拥有良好的光响应度、持久可重复跳变性能、快速的响应时间，且结构简单，制作成本低，原料丰富易得，制造方法简单，采用磁控溅射和蒸镀技术，可以规模化生产。
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公开(公告)号：CN104993053B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510274635.5
申请日：2015-05-26
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种改善有机薄膜晶体管性能的方法，其包括了将二氧化硅的P型掺杂硅片切割成小片，经去离子水、丙酮、乙醇清洗烘干，然后再滴入OTS，旋涂上OTFT新型活性层材料BFTII和经典材料P3HT的混合溶液，经热退火等步骤处理，本发明方法制造成本低，工艺简单，通过在新型低聚OTFT活性层材料中掺杂聚合物和热退火方法，即可使得OTFT在保持较低阈值电压的条件下，载流子迁移率提升两个以上数量级，开关比也能上升一个数量级，适于大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN104993053A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510274635.5
申请日：2015-05-26
申请人： 南京邮电大学
CPC分类号： H01L51/0027 , H01L51/002 , H01L51/0583
摘要： 本发明公开了一种改善有机薄膜晶体管性能的方法，其包括了将二氧化硅的P型掺杂硅片切割成小片，经去离子水、丙酮、乙醇清洗烘干，然后再滴入OTS，旋涂上OTFT新型活性层材料BFTII和经典材料P3HT的混合溶液，经热退火等步骤处理，本发明方法制造成本低，工艺简单，通过在新型低聚OTFT活性层材料中掺杂聚合物和热退火方法，即可使得OTFT在保持较低阈值电压的条件下，载流子迁移率提升两个以上数量级，开关比也能上升一个数量级，适于大规模产业化应用。
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