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公开(公告)号：CN106206829B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201610614357.8
申请日：2016-07-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成，可见光探测器为最简单的三明治结构，可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜，位于底电极2和顶电极4之间。其制造方法为，首先将透明导电玻璃刻蚀，形成0.8cm宽的透明导电窄条，然后利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜，最后用磁控溅射或者蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4，便得到基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。该可见光探测器拥有良好的光响应度、持久可重复跳变性能、快速的响应时间，且结构简单，制作成本低，原料丰富易得，制造方法简单，采用磁控溅射和蒸镀技术，可以规模化生产。
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公开(公告)号：CN106206829A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610614357.8
申请日：2016-07-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成，可见光探测器为最简单的三明治结构，可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜，位于底电极2和顶电极4之间。其制造方法为，首先将透明导电玻璃刻蚀，形成0.8cm宽的透明导电窄条，然后利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜，最后用磁控溅射或者蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4，便得到基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。该可见光探测器拥有良好的光响应度、持久可重复跳变性能、快速的响应时间，且结构简单，制作成本低，原料丰富易得，制造方法简单，采用磁控溅射和蒸镀技术，可以规模化生产。
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公开(公告)号：CN105624625B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610133598.0
申请日：2016-03-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法，在制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜过程中，当磁控溅射中间层金属Ag层时，在溅射气体氩气中通入的适量的氧气作为反应气体，所述氧气与氩气的体积比为1:100~3:100；利用氧气对Ag纳米颗粒生长过程中的诱导作用，使得生长在底层ZnO薄膜上的Ag纳米颗粒变得井然有序，有效的改善了Ag层的形貌。实现提高ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜透光性和导电性的目的。本发明采用室温下磁控溅射方法制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜具有较好的透光性、导电性和稳定性，可以有效的取代ITO用做有机发光二极管或太阳能电池透明电极。
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公开(公告)号：CN105624625A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610133598.0
申请日：2016-03-09
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/086 , C23C14/18
Abstract: 一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法，在制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜过程中，当磁控溅射中间层金属Ag层时，在溅射气体氩气中通入的适量的氧气作为反应气体，所述氧气与氩气的体积比为1:100~3:100；利用氧气对Ag纳米颗粒生长过程中的诱导作用，使得生长在底层ZnO薄膜上的Ag纳米颗粒变得井然有序，有效的改善了Ag层的形貌。实现提高ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜透光性和导电性的目的。本发明采用室温下磁控溅射方法制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜具有较好的透光性、导电性和稳定性，可以有效的取代ITO用做有机发光二极管或太阳能电池透明电极。
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